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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
IRFB4510PBF International Rectifier IRFB4510PBF 1.0000
RFQ
 ECAD 8609 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 62A (TC) 10V 13.5mohm @ 37a, 10V 4V @ 100µa 87 NC @ 10 v ± 20V 3180 pf @ 50 v - 140W (TC)
IRL3713PBF International Rectifier IRL3713PBF -
RFQ
 ECAD 4040 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 260A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 5890 pf @ 15 v - 330W (TC)
AUIRF3808S International Rectifier AUIRF3808S -
RFQ
 ECAD 8699 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 106A (TC) 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRAM256-1067A International Rectifier IRAM256-1067A 1.0000
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 국제 국제 Imotion ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 29-powerssip 모듈, 21 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 3 단계 10 a 600 v 2000VRMS
AUIRFR4620TRL International Rectifier auirfr4620trl -
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 78mohm @ 15a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRG8P40N120KDPBF International Rectifier IRG8P40N120KDPBF 5.1400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 305 w TO-247AC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 600V, 25A, 10ohm, 15V 80 ns - 1200 v 60 a 75 a 2V @ 15V, 25A 1.6mj (on), 1.8mj (Off) 240 NC 40ns/245ns
IRG4IBC30KDPBF International Rectifier irg4ibc30kdpbf 2.1000
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. to220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 125 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 17 a 34 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 100 NC 60ns/160ns
IRG4BC20KDSTRLP-IR International Rectifier irg4bc20kdstrlp-ir -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 국제 국제 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3 480V, 9A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 340µJ (ON), 300µJ (OFF) 34 NC 54ns/180ns
AUIRGSL30B60K International Rectifier auirgsl30b60k 2.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 auirgsl30 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-auirgsl30b60k-600047 1
IRF3704SPBF International Rectifier IRF3704SPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 77A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1996 PF @ 10 v - 87W (TC)
AUIRFP4310Z International Rectifier AUIRFP4310Z 1.0000
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 128A (TC) 10V 6MOHM @ 77A, 10V 4V @ 150µA 188 NC @ 10 v ± 20V 7120 pf @ 50 v - 278W (TC)
IRF1010ZPBF International Rectifier IRF1010ZPBF 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 320 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRAM136-3063B2 International Rectifier IRAM136-3063B2 33.5100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 국제 국제 Imotion ™ 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 22-powersip ip, 18 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 10 3 단계 30 a 600 v 2000VRMS
AUIRFU8405 International Rectifier auirfu8405 1.0300
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.98mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5171 pf @ 25 v - 163W (TC)
IRF9240 International Rectifier IRF9240 5.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 580mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
AUIRFR2607ZTRL International Rectifier auirfr2607ztrl -
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFAUIRF540Z International Rectifier Irfauirf540z 1.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-904 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
IRFZ44NSPBF International Rectifier IRFZ44NSPBF -
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
AUIRF2804S International Rectifier AUIRF2804S -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF362 International Rectifier IRF362 9.1700
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 400 v 22A - - - - - 300W
IRG4PSH71UDPBF International Rectifier irg4psh71udpbf 1.0000
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 960V, 70A, 5ohm, 15V 110 ns - 1200 v 99 a 200a 2.7V @ 15V, 70A 8.8mj (on), 9.4mj (OFF) 570 NC 46ns/250ns
IRGP4069D-EPBF International Rectifier IRGP4069D-EPBF -
RFQ
 ECAD 8386 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 268 w TO-247AD 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 35A, 10ohm, 15V 120 ns 도랑 600 v 76 a 105 a 1.85V @ 15V, 35A 390µJ (ON), 632µJ (OFF) 104 NC 46NS/105NS
IRFS4410ZPBF International Rectifier IRFS4410ZPBF -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 97A (TC) 9mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4820 pf @ 50 v - 230W (TC)
IRFF333 International Rectifier IRFF333 -
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 64 n 채널 350 v 3A - - - - - 25W
IRLR8256TRPBF International Rectifier IRLR8256TRPBF -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 25 v 81A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 25µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1470 pf @ 13 v - 63W (TC)
IRF2804S-7PPBF International Rectifier IRF2804S-7PPBF -
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 1.6MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 6930 pf @ 25 v - 330W (TC)
AUIRF2907ZS-7P International Rectifier AUIRF2907ZS-7P -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 180A (TC) 3.8mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v 7580 pf @ 25 v -
AUIRFZ48Z International Rectifier auirfz48z 0.9100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
IRG7PH42UPBF International Rectifier irg7ph42upbf 1.0000
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 385 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 600V, 30A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 90 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.105mj (on), 1.182mj (OFF) 236 NC 25ns/229ns
IRF120CECC International Rectifier IRF120CECC -
RFQ
 ECAD 6415 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 IRF120 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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