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디스크리트 반도체(1252)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRFR13N20DPBF-IR	-	보상요청	3841	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252AA	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					200V	13A(티씨)		235m옴 @ 8A, 10V	250μA에서 5.5V	38nC @ 10V	±30V	25V에서 830pF	-	110W(Tc)
IRAM256-1067A	1.0000	보상요청	2662	국제정류기	iMOTION™	튜브	활동적인		스루홀	29-PowerSSIP 모듈, 21리드, 아름다운 리드	IGBT						다운로드	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.39.0001	1	3상			10A	600V	2000Vrms
IRAM535-1065AS	-	보상요청	8678	국제정류기	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-IRAM535-1065AS-600047			1
IRF2804S-7PPBF	-	보상요청	8303	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭), TO-263CB				MOSFET(금속)		D2PAK(7리드)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					40V	160A(Tc)	10V	1.6m옴 @ 160A, 10V	4V @ 250μA	260nC @ 10V	±20V	6930pF @ 25V	-	330W(Tc)
IRFF333	-	보상요청	8970	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-205AF 금속 캔				MOSFET(금속)		TO-205AF (TO-39)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	64		N채널					350V	3A	-	-	-		-		-	25W
AUIRFR8401TRL	-	보상요청	6221	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드						0000.00.0000	1		N채널					40V	100A(Tc)	10V	4.25m옴 @ 60A, 10V	50μA에서 3.9V	63nC @ 10V	±20V	2200pF @ 25V	-	79W(Tc)
IRLR8256TRPBF	-	보상요청	4087	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					25V	81A (Tc)	4.5V, 10V	5.7m옴 @ 25A, 10V	2.35V @ 25μA	15nC @ 4.5V	±20V	13V에서 1470pF	-	63W(Tc)
IRFH7934TRPBF	0.6000	보상요청	5	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN				MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					30V	24A(Ta), 76A(Tc)	4.5V, 10V	3.5m옴 @ 24A, 10V	50μA에서 2.35V	30nC @ 4.5V	±20V	3100pF @ 15V	-	3.1W(타)
AUIRFR2407TRL	-	보상요청	6821	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		AUIRFR2407		MOSFET(금속)		D-PAK(TO-252AA)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					75V	42A(Tc)		26m옴 @ 25A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V		2400pF @ 25V	-	110W(Tc)
IRF243	-	보상요청	9864	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AA, TO-3				MOSFET(금속)		TO-204AA (TO-3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					150V	16A	-	-	-		-		-	125W
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	보상요청	1038	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		IRG4RC10	기준		38W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000			480V, 5A, 100옴, 15V														28ns	-	600V	8.5A	34A	2.6V @ 15V, 5A	140μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐)	15nC	40ns/87ns
IRG4BC40KPBF	2.1200	보상요청	11	국제정류기	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-IRG4BC40KPBF-600047			1
IRF7905TRPBF	-	보상요청	7911	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		IRF7905		MOSFET(금속)	2W	8-SO	다운로드					EAR99	8542.39.0001	407	2 N채널(듀얼)						30V	7.8A, 8.9A		21.8m옴 @ 7.8A, 10V	2.25V @ 25μA	6.9nC @ 4.5V		600pF @ 15V	게임 레벨 레벨
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	보상요청	6259	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					55V	150A(Tc)	10V	4.9m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 10V	±20V	4780pF @ 25V	-	230W(Tc)
IRGR2B60KDTRRPBF	-	보상요청	7153	국제정류기	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			기준		35W	D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 2A, 100옴, 15V														68ns	NPT	600V	6.3A	8A	2.25V @ 15V, 2A	74μJ(켜짐), 39μJ(꺼짐)	12nC	11ns/150ns
IRF40DM229	1.2100	보상요청	9	국제정류기	StrongIRFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 MF				MOSFET(금속)		DirectFET™ 아이소메트릭 MF	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					40V	159A(Tc)	6V, 10V	1.85m옴 @ 97A, 10V	100μA에서 3.9V	161nC @ 10V	±20V	5317pF @ 25V	-	83W(Tc)
IRFU4510PBF	0.8200	보상요청	5003	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA				MOSFET(금속)		IPAK(TO-251AA)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	114		N채널					100V	56A(티씨)	10V	13.9m옴 @ 38A, 10V	4V @ 100μA	81nC @ 10V	±20V	50V에서 3031pF	-	143W(Tc)
IRFH7004TRPBF	-	보상요청	3280	국제정류기	HEXFET®, StrongIRFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VQFN 옆형 패드				MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	-						0000.00.0000	1		N채널					40V	100A(Tc)	6V, 10V	1.4m옴 @ 100A, 10V	150μA에서 3.9V	194nC @ 10V	±20V	25V에서 6419pF	-	156W(Tc)
AUIRFS6535TRL	-	보상요청	7651	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					300V	19A(TC)	10V	185m옴 @ 11A, 10V	5V @ 150μA	57nC @ 10V	±20V	2340pF @ 25V	-	210W(Tc)
IRLR2905PBF	-	보상요청	2667	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					55V	42A(Tc)	4V, 10V	27m옴 @ 25A, 10V	2V @ 250μA	48nC @ 5V	±16V	25V에서 1700pF	-	110W(Tc)
IRF6711STRPBF	0.8100	보상요청	4	국제정류기	DirectFET™	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 SQ				MOSFET(금속)		DirectFET™ 아이소메트릭 SQ	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					25V	19A(Ta), 84A(Tc)		3.8m옴 @ 19A, 10V	2.35V @ 25μA	20nC @ 4.5V	±20V	13V에서 1810pF	-	2.2W(Ta), 42W(Tc)
IRAMX30TP60A	1.0000	보상요청	1174	국제정류기	iMOTION™	튜브	활동적인		스루홀	23-PowerSIP 모듈, 19리드, 아름다운 리드	IGBT						-	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.39.0001	1	3상			30A	600V	2000Vrms
IRF6802SDTRPBF	0.8100	보상요청	5	국제정류기	DirectFET™	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 SA		IRF6802		MOSFET(금속)	1.7W(Ta), 21W(Tc)	DirectFET™ 아이소메트릭 SA	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1,117	2 N채널(듀얼)						25V	16A(타), 57A(Tc)		4.2m옴 @ 16A, 10V	35μA에서 2.1V	13nC @ 4.5V		1350pF @ 13V	-
AUIRFR3504	1.0600	보상요청	10	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-PAK(TO-252AA)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					40V	56A(티씨)	10V	9.2m옴 @ 30A, 10V	4V @ 250μA	71nC @ 10V	±20V	2150pF @ 25V	-	140W(Tc)
IRFH7932TRPBF	-	보상요청	3124	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN				MOSFET(금속)		PQFN(5x6) 싱글 다이	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					30V	24A(Ta), 104A(Tc)	4.5V, 10V	3.3m옴 @ 25A, 10V	100μA에서 2.35V	51nC @ 4.5V	±20V	4270pF @ 15V	-	3.4W(타)
IRF242	1.8700	보상요청	7069	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AA, TO-3				MOSFET(금속)		TO-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					200V	16A		-	-		-		-	125W
IRFAC50	7.4200	보상요청	129	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AA, TO-3				MOSFET(금속)		TO-204AA (TO-3)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널					600V	10.6A	-	-	-		-		-	150W
IRFI7536GPBF-IR	-	보상요청	5802	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220 풀팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					60V	86A(티씨)	10V	3.4m옴 @ 75A, 10V	4V @ 150μA	195nC @ 10V	±20V	48V에서 6600pF	-	75W(Tc)
AUIRLR3410TR	1.1100	보상요청	14	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		AUIRLR3410		MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					100V	17A(TC)	4V, 10V	105m옴 @ 10A, 10V	2V @ 250μA	34nC @ 5V	±16V	25V에서 800pF	-	79W(Tc)
IRF123	0.6300	보상요청	738	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-204AA, TO-3				MOSFET(금속)		TO-3	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					60V	7A(TC)	10V	400m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±20V	25V에서 600pF	-	40W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(1252)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²