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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | IRGP4266DPBF | - | ![]() | 6264 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 455 W. | TO-247AC | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) | 210 NC | 50ns/200ns | |||||||||||||||
![]() | auirf9z34n | 0.7700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 55 v | 19A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irfr18n15dtrlp | - | ![]() | 1059 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 125mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | 900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||
![]() | irg4ibc20udpbf | 0.9700 | ![]() | 272 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 34 W. | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 6.5A, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 11.4 a | 52 a | 2.1V @ 15V, 6.5A | 160µJ (on), 130µJ (OFF) | 27 NC | 39ns/93ns | |||||||||||||||
![]() | irg4pc30fpbf | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 31 a | 120 a | 1.8V @ 15V, 17a | 230µJ (on), 1.18mj (OFF) | 77 NC | 21ns/200ns | ||||||||||||||||
![]() | IRF6721STPBF | 0.4400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 국제 국제 | DirectFet ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,183 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 60A (TC) | 7.3mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 25µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1430 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRF7811AVTRPBF | - | ![]() | 2547 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 10.8A (TA) | 4.5V | 14mohm @ 15a, 4.5v | 3V @ 250µA | 26 NC @ 5 v | ± 20V | 1801 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | irg4ph40kdpbf | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 15a, 10ohm, 15V | 63 ns | - | 1200 v | 30 a | 60 a | 3.4V @ 15V, 15a | 1.31mj (on), 1.12mj (OFF) | 140 NC | 50ns/96ns | |||||||||||||||
![]() | IRGP35B60PDPBF | - | ![]() | 9966 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 308 W. | TO-247AC | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 390v, 22a, 3.3ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 60 a | 120 a | 2.55V @ 15V, 35A | 220µJ (on), 215µJ (OFF) | 240 NC | 26ns/110ns | |||||||||||||||
![]() | AUIRGP550B60PD1E | 6.2300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | auirgp50 | 기준 | 390 W. | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 390v, 33a, 3.3ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 75 a | 150 a | 2.85V @ 15V, 50A | 255µJ (on), 375µJ (OFF) | 205 NC | 30ns/130ns | ||||||||||||||
![]() | auirfr3710ztrl | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 18mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | 2930 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
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![]() | IRLZ44ZSPBF | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 13.5mohm @ 31a, 10V | 3V @ 250µA | 36 nc @ 5 v | ± 16V | 1620 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRF2907ZS7PTL | - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 180A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 110a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 7580 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irfr3711trlpbf | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2980 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRLR3110ZTRPBF | - | ![]() | 3091 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µa | 48 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3980 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR3607 | - | ![]() | 7019 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IRLR8743PBF | - | ![]() | 9970 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 100µa | 59 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4880 pf @ 15 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF7905TRPBF | - | ![]() | 7911 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7905 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 407 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7.8a, 8.9a | 21.8mohm @ 7.8a, 10V | 2.25V @ 25µA | 6.9nc @ 4.5v | 600pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||
![]() | IRLB4132PBF | - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 78A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 40a, 10V | 2.35V @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5110 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFB4310PBF | 1.0000 | ![]() | 8280 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfs6535trl | - | ![]() | 7651 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 19A (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10V | 5V @ 150µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 25 v | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirlr3110z | - | ![]() | 5139 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µa | 48 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3980 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFS3806PBF | 0.3500 | ![]() | 7892 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 290 | n 채널 | 60 v | 43A (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irg4rc20ftrlpbf | 1.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 기준 | 66 W. | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 480V, 12A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V, 12a | 190µJ (on), 920µJ (OFF) | 40 NC | 26ns/194ns | ||||||||||||||||
![]() | IRFU4510PBF | 0.8200 | ![]() | 5003 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 114 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 38a, 10V | 4V @ 100µa | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 3031 pf @ 50 v | - | 143W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF343 | 1.4200 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 165 | n 채널 | 350 v | 8A (TC) | 800mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3004-7TRL | - | ![]() | 1736 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9130 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4010-7TRL | 3.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 83 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 4.7mohm @ 106a, 10V | 4V @ 250µA | 215 NC @ 10 v | ± 20V | 9575 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFSL7430PBF | 1.9800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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