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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
IRGP4266DPBF International Rectifier IRGP4266DPBF -
RFQ
ECAD 6264 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 455 W. TO-247AC 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 75A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 140 a 300 a 2.1V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) 210 NC 50ns/200ns
AUIRF9Z34N International Rectifier auirf9z34n 0.7700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 p 채널 55 v 19A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFR18N15DTRLP International Rectifier irfr18n15dtrlp -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 150 v 18A (TC) 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v 900 pf @ 25 v -
IRG4IBC20UDPBF International Rectifier irg4ibc20udpbf 0.9700
RFQ
ECAD 272 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 34 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 6.5A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 11.4 a 52 a 2.1V @ 15V, 6.5A 160µJ (on), 130µJ (OFF) 27 NC 39ns/93ns
IRG4PC30FPBF International Rectifier irg4pc30fpbf 1.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 77 NC 21ns/200ns
IRF6721STRPBF International Rectifier IRF6721STPBF 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 국제 국제 DirectFet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,183 n 채널 30 v 14A (TA), 60A (TC) 7.3mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 25µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1430 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF7811AVTRPBF International Rectifier IRF7811AVTRPBF -
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 4,000 n 채널 30 v 10.8A (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5v 3V @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 20V 1801 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IRG4PH40KDPBF International Rectifier irg4ph40kdpbf -
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 160 W. TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 800V, 15a, 10ohm, 15V 63 ns - 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V, 15a 1.31mj (on), 1.12mj (OFF) 140 NC 50ns/96ns
IRGP35B60PDPBF International Rectifier IRGP35B60PDPBF -
RFQ
ECAD 9966 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 308 W. TO-247AC 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 390v, 22a, 3.3ohm, 15v 42 ns NPT 600 v 60 a 120 a 2.55V @ 15V, 35A 220µJ (on), 215µJ (OFF) 240 NC 26ns/110ns
AUIRGP50B60PD1E International Rectifier AUIRGP550B60PD1E 6.2300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 auirgp50 기준 390 W. TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 390v, 33a, 3.3ohm, 15v 42 ns NPT 600 v 75 a 150 a 2.85V @ 15V, 50A 255µJ (on), 375µJ (OFF) 205 NC 30ns/130ns
AUIRFR3710ZTRL International Rectifier auirfr3710ztrl -
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 42A (TC) 18mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v 2930 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRG4BC30F-SPBF International Rectifier IRG4BC30F-SPBF 1.3300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30F-SPBF 기준 100 W. D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 51 NC 21ns/200ns
IRLZ44ZSPBF International Rectifier IRLZ44ZSPBF -
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 51A (TC) 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
AUIRF2907ZS7PTL International Rectifier AUIRF2907ZS7PTL -
RFQ
ECAD 1459 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 180A (TC) 10V 3.8mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 7580 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR3711TRLPBF International Rectifier irfr3711trlpbf 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRLR3110ZTRPBF International Rectifier IRLR3110ZTRPBF -
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 42A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µa 48 NC @ 4.5 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 140W (TC)
AUIRFR3607 International Rectifier AUIRFR3607 -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR3607 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
IRLR8743PBF International Rectifier IRLR8743PBF -
RFQ
ECAD 9970 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µa 59 NC @ 4.5 v ± 20V 4880 pf @ 15 v - 135W (TC)
IRF7905TRPBF International Rectifier IRF7905TRPBF -
RFQ
ECAD 7911 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7905 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 407 2 n 채널 (채널) 30V 7.8a, 8.9a 21.8mohm @ 7.8a, 10V 2.25V @ 25µA 6.9nc @ 4.5v 600pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRLB4132PBF International Rectifier IRLB4132PBF -
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 78A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 40a, 10V 2.35V @ 100µa 54 NC @ 4.5 v ± 20V 5110 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRFB4310PBF International Rectifier IRFB4310PBF 1.0000
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
AUIRFS6535TRL International Rectifier auirfs6535trl -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v 19A (TC) 10V 185mohm @ 11a, 10V 5V @ 150µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 25 v - 210W (TC)
AUIRLR3110Z International Rectifier auirlr3110z -
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 42A (TC) 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µa 48 NC @ 4.5 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRFS3806PBF International Rectifier IRFS3806PBF 0.3500
RFQ
ECAD 7892 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 290 n 채널 60 v 43A (TC) 10V 15.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 71W (TC)
IRG4RC20FTRLPBF International Rectifier irg4rc20ftrlpbf 1.1100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 66 W. D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 480V, 12A, 50ohm, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (on), 920µJ (OFF) 40 NC 26ns/194ns
IRFU4510PBF International Rectifier IRFU4510PBF 0.8200
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 114 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 13.9mohm @ 38a, 10V 4V @ 100µa 81 NC @ 10 v ± 20V 3031 pf @ 50 v - 143W (TC)
IRF343 International Rectifier IRF343 1.4200
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 165 n 채널 350 v 8A (TC) 800mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 125W (TC)
AUIRFS3004-7TRL International Rectifier AUIRFS3004-7TRL -
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 1.25mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 9130 pf @ 25 v - 380W (TC)
AUIRFS4010-7TRL International Rectifier AUIRFS4010-7TRL 3.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 83 n 채널 100 v 180A (TC) 4.7mohm @ 106a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 10 v ± 20V 9575 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRFSL7430PBF International Rectifier IRFSL7430PBF 1.9800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 14240 pf @ 25 v - 375W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고