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디스크리트 반도체(1252)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRLR8726PBF International Rectifier IRLR8726PBF -
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 ECAD 4307 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 86A(티씨) 5.8m옴 @ 25A, 10V 50μA에서 2.35V 23nC @ 4.5V ±20V 15V에서 2150pF - 75W(Tc)
IRFS7540PBF International Rectifier IRFS7540PBF -
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 ECAD 3973 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 110A(TC) 6V, 10V 5.1m옴 @ 65A, 10V 100μA에서 3.7V 130nC @ 10V ±20V 25V에서 4555pF - 160W(Tc)
IRLU3103PBF International Rectifier IRLU3103PBF -
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 ECAD 1234 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) IPAK(TO-251AA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 55A(Tc) 19m옴 @ 33A, 10V 1V @ 250μA 50nC @ 4.5V ±16V 25V에서 1600pF - 107W(Tc)
AUIRL3705ZS International Rectifier AUIRL3705ZS 1.4700
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 ECAD 8 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8m옴 @ 52A, 10V 3V @ 250μA 60nC @ 5V ±16V 25V에서 2880pF - 130W(Tc)
IRGS4607DPBF International Rectifier IRGS4607DPBF 0.8500
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 ECAD 850 0.00000000 국제정류기 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 58W D2PAK 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100옴, 15V 48ns - 600V 11A 12A 2.05V @ 15V, 4A 140μJ(켜짐), 62μJ(꺼짐) 9nC 27ns/120ns
AUIRFS4310Z International Rectifier AUIRFS4310Z -
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 ECAD 9242 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-AUIRFS4310Z-600047 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 120A(Tc) 10V 6m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 170nC @ 10V ±20V 50V에서 6860pF - 250W(Tc)
IRGP50B60PD1-EP International Rectifier IRGP50B60PD1-EP -
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 ECAD 3649 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 기준 390W TO-247AD 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 390V, 33A, 3.3옴, 15V 42ns NPT 600V 75A 150A 2.85V @ 15V, 50A 255μJ(켜짐), 375μJ(꺼짐) 205nC 30ns/130ns
IRFAE42 International Rectifier IRFAE42 -
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 ECAD 1351 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA (TO-3) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 800V 4.4A - - - - - 125W
IRFH7004TRPBF International Rectifier IRFH7004TRPBF -
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 ECAD 3280 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VQFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) - 0000.00.0000 1 N채널 40V 100A(Tc) 6V, 10V 1.4m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.9V 194nC @ 10V ±20V 25V에서 6419pF - 156W(Tc)
AUIRFS6535TRL International Rectifier AUIRFS6535TRL -
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 ECAD 7651 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 300V 19A(TC) 10V 185m옴 @ 11A, 10V 5V @ 150μA 57nC @ 10V ±20V 2340pF @ 25V - 210W(Tc)
IRF6711STRPBF International Rectifier IRF6711STRPBF 0.8100
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 DirectFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 SQ MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 SQ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 25V 19A(Ta), 84A(Tc) 3.8m옴 @ 19A, 10V 2.35V @ 25μA 20nC @ 4.5V ±20V 13V에서 1810pF - 2.2W(Ta), 42W(Tc)
IRLR2905PBF International Rectifier IRLR2905PBF -
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 ECAD 2667 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 42A(Tc) 4V, 10V 27m옴 @ 25A, 10V 2V @ 250μA 48nC @ 5V ±16V 25V에서 1700pF - 110W(Tc)
IRFU4510PBF International Rectifier IRFU4510PBF 0.8200
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 ECAD 5003 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) IPAK(TO-251AA) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 114 N채널 100V 56A(티씨) 10V 13.9m옴 @ 38A, 10V 4V @ 100μA 81nC @ 10V ±20V 50V에서 3031pF - 143W(Tc)
IRF6802SDTRPBF International Rectifier IRF6802SDTRPBF 0.8100
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 ECAD 5 0.00000000 국제정류기 DirectFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 SA IRF6802 MOSFET(금속) 1.7W(Ta), 21W(Tc) DirectFET™ 아이소메트릭 SA 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1,117 2 N채널(듀얼) 25V 16A(타), 57A(Tc) 4.2m옴 @ 16A, 10V 35μA에서 2.1V 13nC @ 4.5V 1350pF @ 13V -
IRAMX30TP60A International Rectifier IRAMX30TP60A 1.0000
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 ECAD 1174 0.00000000 국제정류기 iMOTION™ 튜브 활동적인 스루홀 23-PowerSIP 모듈, 19리드, 아름다운 리드 IGBT - 해당 없음 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 3상 30A 600V 2000Vrms
AUIRFS4010-7P International Rectifier AUIRFS4010-7P -
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 ECAD 1043 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 190A(Tc) 4m옴 @ 110A, 10V 4V @ 250μA 230nC @ 10V ±20V 50V에서 9830pF - 380W(Tc)
AUIRFR8405 International Rectifier AUIRFR8405 1.1600
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 ECAD 14 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 100A(Tc) 10V 1.98m옴 @ 90A, 10V 100μA에서 3.9V 155nC @ 10V ±20V 5171pF @ 25V - 163W(Tc)
IRFH7932TRPBF International Rectifier IRFH7932TRPBF -
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 ECAD 3124 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PQFN(5x6) 싱글 다이 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 24A(Ta), 104A(Tc) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 25A, 10V 100μA에서 2.35V 51nC @ 4.5V ±20V 4270pF @ 15V - 3.4W(타)
IRFR4104PBF International Rectifier IRFR4104PBF -
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 ECAD 8776 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 42A(Tc) 10V 5.5m옴 @ 42A, 10V 4V @ 250μA 89nC @ 10V ±20V 2950pF @ 25V - 140W(Tc)
AUIRFS4115 International Rectifier AUIRFS4115 -
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 ECAD 3625 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 99A(Tc) 10V 12.1m옴 @ 62A, 10V 5V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 5270pF @ 50V - 375W(Tc)
AUIRFS8407TRR International Rectifier AUIRFS8407TRR 1.1800
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 ECAD 395 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 195A(Tc) 1.8m옴 @ 100A, 10V 4V @ 150μA 225nC @ 10V ±20V 25V에서 7330pF - 230W(Tc)
IRFH7921TRPBF-IR International Rectifier IRFH7921TRPBF-IR 0.3600
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 ECAD 11 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PQFN(5x6) 싱글 다이 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 15A(Ta), 34A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 15A, 10V 2.35V @ 25μA 14nC @ 4.5V ±20V 1210pF @ 15V - 3.1W(타)
IRG4PC40FDPBF International Rectifier IRG4PC40FDPBF 1.0000
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 ECAD 8316 0.00000000 국제정류기 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 160W TO-247AC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 480V, 27A, 10옴, 15V 42ns - 600V 49A 196A 1.7V @ 15V, 27A 950μJ(켜짐), 2.01mJ(꺼짐) 100nC 63ns/230ns
IRG6B330UDPBF International Rectifier IRG6B330UDPBF 2.3700
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 ECAD 5 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 160W TO-220AB 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 196V, 25A, 10옴 60ns 도랑 330V 70A 2.76V @ 15V, 120A - 85nC 47ns/176ns
IRG4RC10UDPBF International Rectifier IRG4RC10UDPBF -
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 ECAD 6966 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 38W D-박 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-IRG4RC10UDPBF-600047 1 480V, 5A, 100옴, 15V 28ns - 600V 8.5A 34A 2.6V @ 15V, 5A 140μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 15nC 40ns/87ns
IRF7452PBF International Rectifier IRF7452PBF -
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 ECAD 4111 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 4.5A(타) 10V 60m옴 @ 2.7A, 10V 250μA에서 5.5V 50nC @ 10V ±30V 25V에서 930pF - 2.5W(타)
IRGS4715DPBF International Rectifier IRGS4715DPBF 1.1500
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 ECAD 2 0.00000000 국제정류기 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100W D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 50옴, 15V 86ns - 650V 21A 24A 2V @ 15V, 8A 200μJ(켜짐), 90μJ(꺼짐) 30nC 30ns/100ns
IRGP4072DPBF International Rectifier IRGP4072DPBF 3.9400
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 180W TO-247AC - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-IRGP4072DPBF EAR99 8541.29.0095 1 240V, 40A, 10옴, 15V 122ns 도랑 300V 70A 120A 1.7V @ 15V, 40A 409μJ(켜짐), 838μJ(꺼짐) 73nC 18ns/144ns
AUIRF3007 International Rectifier AUIRF3007 1.2000
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 ECAD 9 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 75V 75A(Tc) 10V 12.6m옴 @ 48A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 3270pF @ 25V - 200W(Tc)
IRLR8729PBF International Rectifier IRLR8729PBF -
보상요청
 ECAD 2904 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 58A(티씨) 8.9m옴 @ 25A, 10V 2.35V @ 25μA 16nC @ 4.5V ±20V 15V에서 1350pF - 55W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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