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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | AUIRF2903Z | 2.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6320 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7470TRPBF | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 439 | n 채널 | 40 v | 10A (TA) | 2.8V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3430 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF6713STRPBF | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | DirectFet ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 25 v | 22A (TA), 95A (TC) | 3MOHM @ 22A, 10V | 2.4V @ 50µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2880 pf @ 13 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFH7932TRPBF | - | ![]() | 3124 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 24A (TA), 104A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 100µa | 51 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4270 pf @ 15 v | - | 3.4W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF6726MTRPBF | 1.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mt | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 199 | n 채널 | 30 v | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 32a, 10V | 2.35V @ 150µA | 77 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6140 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRGP20B120UD-EP | 5.2900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 300 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 20A, 5ohm, 15V | 300 ns | NPT | 1200 v | 40 a | 120 a | 4.85V @ 15V, 40A | 850µJ (on), 425µJ (OFF) | 254 NC | - | |||||||||||||||
![]() | IRF224 | 2.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 250 v | 3.8a | - | - | - | - | - | 40W | |||||||||||||||||
![]() | IRFP4868PBF | - | ![]() | 4090 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 70A (TC) | 10V | 32mohm @ 42a, 10V | 5V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 10774 pf @ 50 v | - | 517W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirlr2703trl | 0.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 45mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | irf6637trpbf | 0.8300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MP | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MP | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 59A (TC) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 14a, 10V | 2.35V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1330 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRG8P40N120KDPBF | 5.1400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 305 w | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 600V, 25A, 10ohm, 15V | 80 ns | - | 1200 v | 60 a | 75 a | 2V @ 15V, 25A | 1.6mj (on), 1.8mj (Off) | 240 NC | 40ns/245ns | ||||||||||||||||||
![]() | irg4ibc30kdpbf | 2.1000 | ![]() | 2251 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 45 W. | to220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 125 | 480V, 16A, 23OHM, 15V | 42 ns | - | 600 v | 17 a | 34 a | 2.7V @ 15V, 16A | 600µJ (on), 580µJ (OFF) | 100 NC | 60ns/160ns | |||||||||||||||
![]() | irg4pc30upbf | 1.0000 | ![]() | 3660 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 12a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.1V @ 15V, 12a | 160µJ (on), 200µJ (OFF) | 75 NC | 17ns/78ns | ||||||||||||||||
![]() | IRGS10B60KDPBF | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 156 w | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 10A, 47ohm, 15V | 90 ns | - | 600 v | 35 a | 44 a | 2.2V @ 15V, 10A | 140µJ (on), 250µJ (OFF) | 38 NC | 30ns/230ns | |||||||||||||||
![]() | IRGR4045DPBF | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRGR4045 | 기준 | 77 w | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | 도랑 | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 19.5 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||
![]() | IRG4BC40KPBF | 2.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-IRG4BC40KPBF-600047 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP20B60PDPBF | 2.3100 | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 220 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 79 | 390v, 13a, 10ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 40 a | 80 a | 2.8V @ 15V, 20A | 95µJ (on), 100µJ (OFF) | 68 NC | 20ns/115ns | |||||||||||||||
![]() | IRGP4063PBF | - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 330 w | TO-247AC | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-IRGP4063PBF-600047 | 1 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 96 a | 144 a | 2.14V @ 15V, 48A | 625µJ (on), 1.28mj (OFF) | 95 NC | 60ns/145ns | ||||||||||||||||||
![]() | irg4bc20kdstrlp-ir | - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 60 W. | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3 | 480V, 9A, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 16 a | 32 a | 2.8V @ 15V, 9A | 340µJ (ON), 300µJ (OFF) | 34 NC | 54ns/180ns | |||||||||||||||
![]() | 64-9142pbf | 0.5500 | ![]() | 704 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 310 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL8113PBF-IR | - | ![]() | 8581 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 21A, 10V | 2.25V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2840 pf @ 15 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF1310NSPBF | - | ![]() | 6091 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 10V | 36mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 160W (TC) | |||||||||||||||
![]() | auirls3034-7p | 2.6600 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 200a, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 NC @ 4.5 v | ± 20V | 10990 pf @ 40 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irfr3410trpbf | - | ![]() | 8581 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfs4310z | - | ![]() | 9242 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받습니다 | 2156-AUIRFS4310Z-600047 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRFP4004 | 3.3200 | ![]() | 303 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.7mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 8920 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4PH40UD2-EP | - | ![]() | 2074 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AD | - | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 21A, 10ohm, 15V | 50 ns | - | 1200 v | 41 a | 82 a | 3.1V @ 15V, 21A | 1.95mj (on), 1.71mj (OFF) | 100 NC | 22ns/100ns | |||||||||||||||||||
![]() | IRGS15B60KDTRRP | 2.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRGS15B60 | 기준 | 208 w | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 15a, 22ohm, 15V | 92 ns | NPT | 600 v | 31 a | 62 a | 2.2V @ 15V, 15a | 220µJ (on), 340µJ (OFF) | 56 NC | 34ns/184ns | ||||||||||||||
![]() | 94-2403 | - | ![]() | 3334 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr2307z | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 16mohm @ 32a, 10V | 4V @ 100µa | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2190 pf @ 25 v | - | 110W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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