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디스크리트 반도체(1252)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRAM535-1065AS International Rectifier IRAM535-1065AS -
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 ECAD 8678 0.00000000 국제정류기 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-IRAM535-1065AS-600047 1
AUIRFR8401TRL International Rectifier AUIRFR8401TRL -
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 ECAD 6221 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 40V 100A(Tc) 10V 4.25m옴 @ 60A, 10V 50μA에서 3.9V 63nC @ 10V ±20V 2200pF @ 25V - 79W(Tc)
IRLR8256TRPBF International Rectifier IRLR8256TRPBF -
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 ECAD 4087 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 25V 81A (Tc) 4.5V, 10V 5.7m옴 @ 25A, 10V 2.35V @ 25μA 15nC @ 4.5V ±20V 13V에서 1470pF - 63W(Tc)
IRF2804S-7PPBF International Rectifier IRF2804S-7PPBF -
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 ECAD 8303 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB MOSFET(금속) D2PAK(7리드) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 160A(Tc) 10V 1.6m옴 @ 160A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 10V ±20V 6930pF @ 25V - 330W(Tc)
IRF253 International Rectifier IRF253 2.0200
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 ECAD 7000 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 19 N채널 150V 25A - - - - 150W
IRFR13N20DPBF-IR International Rectifier IRFR13N20DPBF-IR -
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 ECAD 3841 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 13A(티씨) 235m옴 @ 8A, 10V 250μA에서 5.5V 38nC @ 10V ±30V 25V에서 830pF - 110W(Tc)
IRL3803VPBF International Rectifier IRL3803VPBF 1.0000
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 ECAD 5678 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 140A(Tc) 4.5V, 10V 5.5m옴 @ 71A, 10V 1V @ 250μA 76nC @ 4.5V ±16V 3720pF @ 25V - 200W(Tc)
IRGP35B60PDPBF International Rectifier IRGP35B60PDPBF -
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 ECAD 9966 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 308W TO-247AC 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 390V, 22A, 3.3옴, 15V 42ns NPT 600V 60A 120A 2.55V @ 15V, 35A 220μJ(켜짐), 215μJ(꺼짐) 240nC 26ns/110ns
IRF3710STRRPBF-IR International Rectifier IRF3710STRRPBF-IR 1.0000
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 ECAD 5353 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 57A (Tc) 23m옴 @ 28A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 3130pF @ 25V - 200W(Tc)
AUIRL7766M2TR International Rectifier AUIRL7766M2TR 1.7800
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 ECAD 37 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 M4 MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 M4 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 10A(타) 4.5V, 10V 10m옴 @ 31A, 10V 2.5V @ 150μA 66nC @ 4.5V ±16V 5305pF @ 25V - 2.5W(Ta), 62.5W(Tc)
IRLL3303PBF International Rectifier IRLL3303PBF -
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 ECAD 5319 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 160 N채널 30V 4.6A(타) 31m옴 @ 4.6A, 10V 1V @ 250μA 50nC @ 10V ±16V 25V에서 840pF - 1W(타)
IRGR4045DPBF International Rectifier IRGR4045DPBF 0.8100
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRGR4045 기준 77W D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 400V, 6A, 47옴, 15V 74ns 도랑 600V 12A 18A 2V @ 15V, 6A 56μJ(켜짐), 122μJ(꺼짐) 19.5nC 27ns/75ns
IRFF9231 International Rectifier IRFF9231 4.3400
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 ECAD 3 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 150V 4A(TC) - - - - 25W
IRFL024NPBF International Rectifier IRFL024NPBF -
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 ECAD 7709 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 2.8A(타) 10V 75m옴 @ 2.8A, 10V 4V @ 250μA 18.3nC @ 10V ±20V 25V에서 400pF - 1W(타)
AUIRLS3034 International Rectifier AUIRLS3034 2.6100
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 195A(Tc) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 195A, 10V 2.5V @ 250μA 162nC @ 4.5V ±20V 25V에서 10315pF - 375W(Tc)
AUIRF4104STRL International Rectifier AUIRF4104STRL 1.4000
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 ECAD 456 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 75A(Tc) 5.5m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 100nC @ 10V 3000pF @ 25V - 140W(Tc)
AUIRFB4410-IR International Rectifier AUIRFB4410-IR 1.4500
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3-904 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 75A(Tc) 10V 10m옴 @ 58A, 10V 4V @ 1.037mA 180nC @ 10V ±20V 5150pF @ 50V - 200W(Tc)
IRG4BC30F-SPBF International Rectifier IRG4BC30F-SPBF 1.3300
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 ECAD 10 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30F-SPBF 기준 100W D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 480V, 17A, 23옴, 15V - 600V 31A 120A 1.8V @ 15V, 17A 230μJ(켜짐), 1.18mJ(꺼짐) 51nC 21ns/200ns
IRLR8726PBF International Rectifier IRLR8726PBF -
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 ECAD 4307 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 86A(티씨) 5.8m옴 @ 25A, 10V 50μA에서 2.35V 23nC @ 4.5V ±20V 15V에서 2150pF - 75W(Tc)
IRFS7540PBF International Rectifier IRFS7540PBF -
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 ECAD 3973 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 110A(TC) 6V, 10V 5.1m옴 @ 65A, 10V 100μA에서 3.7V 130nC @ 10V ±20V 25V에서 4555pF - 160W(Tc)
AUIRL3705ZS International Rectifier AUIRL3705ZS 1.4700
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 ECAD 8 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8m옴 @ 52A, 10V 3V @ 250μA 60nC @ 5V ±16V 25V에서 2880pF - 130W(Tc)
IRGS4607DPBF International Rectifier IRGS4607DPBF 0.8500
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 ECAD 850 0.00000000 국제정류기 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 58W D2PAK 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100옴, 15V 48ns - 600V 11A 12A 2.05V @ 15V, 4A 140μJ(켜짐), 62μJ(꺼짐) 9nC 27ns/120ns
AUIRFS4310Z International Rectifier AUIRFS4310Z -
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 ECAD 9242 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-AUIRFS4310Z-600047 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 120A(Tc) 10V 6m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 170nC @ 10V ±20V 50V에서 6860pF - 250W(Tc)
IRGP50B60PD1-EP International Rectifier IRGP50B60PD1-EP -
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 ECAD 3649 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 기준 390W TO-247AD 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 390V, 33A, 3.3옴, 15V 42ns NPT 600V 75A 150A 2.85V @ 15V, 50A 255μJ(켜짐), 375μJ(꺼짐) 205nC 30ns/130ns
IRFAE42 International Rectifier IRFAE42 -
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 ECAD 1351 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA (TO-3) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 800V 4.4A - - - - - 125W
IRFH7004TRPBF International Rectifier IRFH7004TRPBF -
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 ECAD 3280 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VQFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) - 0000.00.0000 1 N채널 40V 100A(Tc) 6V, 10V 1.4m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.9V 194nC @ 10V ±20V 25V에서 6419pF - 156W(Tc)
AUIRFS6535TRL International Rectifier AUIRFS6535TRL -
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 ECAD 7651 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 300V 19A(TC) 10V 185m옴 @ 11A, 10V 5V @ 150μA 57nC @ 10V ±20V 2340pF @ 25V - 210W(Tc)
IRF6711STRPBF International Rectifier IRF6711STRPBF 0.8100
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 DirectFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 SQ MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 SQ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 25V 19A(Ta), 84A(Tc) 3.8m옴 @ 19A, 10V 2.35V @ 25μA 20nC @ 4.5V ±20V 13V에서 1810pF - 2.2W(Ta), 42W(Tc)
IRLR2905PBF International Rectifier IRLR2905PBF -
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 ECAD 2667 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 42A(Tc) 4V, 10V 27m옴 @ 25A, 10V 2V @ 250μA 48nC @ 5V ±16V 25V에서 1700pF - 110W(Tc)
IRFU4510PBF International Rectifier IRFU4510PBF 0.8200
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 ECAD 5003 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) IPAK(TO-251AA) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 114 N채널 100V 56A(티씨) 10V 13.9m옴 @ 38A, 10V 4V @ 100μA 81nC @ 10V ±20V 50V에서 3031pF - 143W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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