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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
IRFP048NPBF International Rectifier IRFP048NPBF 0.7100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 64A (TC) 10V 16mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRFU9024NPBF International Rectifier IRFU9024NPBF -
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IRFU9024NPBF-600047 귀 99 0000.00.0000 1 p 채널 55 v 11A (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
IRFS31N20DTRLP International Rectifier IRFS31N20DTRLP -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 31A (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 30V 2370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 200W (TC)
IRGS8B60KPBF International Rectifier IRGS8B60KPBF 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS8B60KPBF 기준 167 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 8A, 50ohm, 15V NPT 600 v 28 a 34 a 2.2V @ 15V, 8A 160µJ (on), 160µJ (OFF) 29 NC 23ns/140ns
IRFAE20 International Rectifier irfae20 -
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 12 n 채널 800 v 1.8a - - - - - 50W
IRLR7843PBF International Rectifier IRLR7843PBF -
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 161A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4380 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRF1607PBF International Rectifier IRF1607pbf -
RFQ
 ECAD 1978 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 142A (TC) 7.5mohm @ 85a, 10V 4V @ 250µA 320 NC @ 10 v ± 20V 7750 pf @ 25 v - 380W (TC)
AUIRFU4104 International Rectifier auirfu4104 0.8400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-251-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 42A (TC) 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF8327STRPBF International Rectifier IRF8327STPBF -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 귀 99 8542.39.0001 506 n 채널 30 v 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 25µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1430 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
AUIRFS3207ZTRL International Rectifier auirfs3207ztrl -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 86 n 채널 75 v 120A (TC) 4.1mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 170 nc @ 10 v 6920 pf @ 50 v - 300W (TC)
IRFI3306GPBF International Rectifier IRFI3306GPBF 2.1300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-IRFI3306GPBF-600047 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 71A (TC) 10V 4.2MOHM @ 43A, 10V 4V @ 1.037ma 135 NC @ 10 v ± 20V 4685 pf @ 50 v - 46W (TC)
AUIRGP50B60PD1 International Rectifier AUIRGP50B60PD1 -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 auirgp50 기준 390 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 390v, 33a, 3.3ohm, 15v 42 ns NPT 600 v 75 a 150 a 2.85V @ 15V, 50A 255µJ (on), 375µJ (OFF) 308 NC 30ns/130ns
IRFS7430-7PPBF International Rectifier IRFS7430-7PPBF -
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 240A (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 13975 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRF7749L1TRPBF International Rectifier IRF7749L1TRPBF -
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 33A (TA), 200a (TC) 10V 1.5mohm @ 120a, 10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 12320 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 125W (TC)
IRF7807VTRPBF International Rectifier IRF7807VTRPBF -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V - 2.5W (TA)
IRFH7194TRPBF International Rectifier IRFH7194TRPBF -
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 국제 국제 Fastirfet ™, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 11A (TA), 35A (TC) 10V 16.4mohm @ 21a, 10V 3.6V @ 50µA 19 NC @ 10 v ± 20V 733 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
AUIRF4905 International Rectifier AUIRF4905 -
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 55 v 74A (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 200W (TC)
AUIRFSL4310 International Rectifier auirfsl4310 -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 100 n 채널 100 v 75A (TC) 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
IRF7204PBF International Rectifier IRF7204PBF -
RFQ
 ECAD 7798 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,800 p 채널 20 v 5.3A (TA) 60mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 12V 860 pf @ 10 v - 2.5W (TC)
AUIRGS30B60K-IR International Rectifier auirgs330b60k-ir -
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB auirgs30 기준 370 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 30A, 10ohm, 15V NPT 600 v 78 a 120 a 2.35V @ 15V, 30A 350µJ (on), 825µJ (OFF) 153 NC 46ns/185ns
IRFI1010NPBF-IR International Rectifier irfi1010npbf-ir -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 12MOHM @ 26A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 58W (TC)
IRFH5007TR2PBF International Rectifier IRFH5007TR2PBF -
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 17A (TA), 100A (TC) 5.9mohm @ 50a, 10V 4V @ 150µA 98 NC @ 10 v 4290 pf @ 25 v -
IRFSL7437PBF International Rectifier IRFSL7437pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 150µA 225 NC @ 10 v ± 20V 7330 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRF7855PBF International Rectifier IRF7855PBF -
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 12A (TA) 9.4mohm @ 12a, 10V 4.9V @ 100µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1560 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF3007PBF International Rectifier IRF3007pbf -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF3007 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 12.6MOHM @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3270 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFBA90N20DPBF International Rectifier IRFBA90N20DPBF -
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-273AA MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 200 v 98A (TC) 10V 23mohm @ 59a, 10V 5V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 30V 6080 pf @ 25 v - 650W (TC)
IPS70R2K0CEAKMA1 International Rectifier IPS70R2K0CEAKMA1 -
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251 - 2156-IPS70R2K0CEAKMA1 1 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 70µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 163 pf @ 100 v - 42W (TC)
IRFS3006PBF International Rectifier IRFS3006PBF -
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 8970 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRLL024NPBF International Rectifier irll024npbf -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 3.1A (TA) 65mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 15.6 NC @ 5 v ± 16V 510 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF3710ZSPBF International Rectifier IRF3710ZSPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 160W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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