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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | IRFS4127pbf | - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 72A (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRL3103STRLPBF | 1.0000 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30KD-SPBF | - | ![]() | 1669 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRG4BC30KD-SPBF | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 16A, 23OHM, 15V | 42 ns | - | 600 v | 28 a | 56 a | 2.7V @ 15V, 16A | 600µJ (on), 580µJ (OFF) | 67 NC | 60ns/160ns | |||||||||||||||
![]() | AUIRF1405ZS | - | ![]() | 3103 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 150A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 4780 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFU1205PBF | - | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 44A (TC) | 10V | 27mohm @ 26a, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRGP35B60PD-EP | - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 308 W. | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 390v, 22a, 3.3ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 60 a | 120 a | 2.55V @ 15V, 35A | 220µJ (on), 215µJ (OFF) | 160 NC | 26ns/110ns | ||||||||||||||||
![]() | IRFS4310ZPBF | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | auirfs4410z | 1.9000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4410 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRFP4568-E | 1.0000 | ![]() | 2069 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 171A (TC) | 10V | 5.9mohm @ 103a, 10V | 5V @ 250µA | 227 NC @ 10 v | ± 30V | 10470 pf @ 50 v | - | 517W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2807 | 1.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 13mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3820 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRG8P15N120KDPBF | 2.8000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 125 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 10A, 10ohm, 15V | 60 ns | - | 1200 v | 30 a | 30 a | 2V @ 15V, 10A | 600µJ (on), 600µJ (OFF) | 98 NC | 15ns/170ns | ||||||||||||||||
![]() | auirfs3206trl | - | ![]() | 1961 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 3MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6540 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | irf7306tr | - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 도 8- | - | 2156-irf7306tr | 1 | 2 p 채널 | 30V | 3.6A (TA) | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3705ZPBF | - | ![]() | 5574 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10V | 3V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 16V | 2900 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFS41N15DTRLP | - | ![]() | 8779 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 41A (TC) | 10V | 45mohm @ 25a, 10V | 5.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 2520 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | irg7ph35ud1-Ep | 3.3300 | ![]() | 586 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 179 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 91 | 600V, 20A, 10ohm, 15V | 도랑 | 1200 v | 50 a | 150 a | 2.2V @ 15V, 20A | 620µJ (OFF) | 130 NC | -/160ns | |||||||||||||||||
![]() | auirlr3105trl | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 25A (TC) | 37mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | 710 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFSL3806PBF | - | ![]() | 3003 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 43A (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFR3704ZPBF | - | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 20 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1190 pf @ 10 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7484QTR | - | ![]() | 5539 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250µA | 100 nc @ 7 v | ± 8V | 3520 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IRGS15B60KDPBF | 1.0000 | ![]() | 5139 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 208 w | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 22ohm, 15V | 92 ns | NPT | 600 v | 31 a | 62 a | 2.2V @ 15V, 15a | 220µJ (on), 340µJ (OFF) | 56 NC | 34ns/184ns | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3205Z | - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC40WPBF | - | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AC | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 20A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 20A | 110µJ (on), 230µJ (OFF) | 98 NC | 27ns/100ns | |||||||||||||||||
![]() | IRFS3006TRLPBF | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFB8407 | 1.0000 | ![]() | 8848 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB38N20DPBF | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 226 | n 채널 | 200 v | 43A (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB3006GPBF | - | ![]() | 5939 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirlr3114z | 1.0700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10V | 2.5V @ 100µa | 56 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3810 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | auirfs3306trl | - | ![]() | 3904 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS3306 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1018ES | 1.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 79A (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µa | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 50 v | - | 110W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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