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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | IRG4BC30FPBF | 1.1200 | ![]() | 770 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 100 W. | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 31 a | 124 a | 1.8V @ 15V, 17a | 230µJ (on), 1.18mj (OFF) | 51 NC | 21ns/200ns | ||||||||||||||||||||
![]() | auirfs8409trl | - | ![]() | 3374 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF5805TRPBF | - | ![]() | 7325 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (TSOP-6) | - | 적용 적용 수 할 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 30 v | 3.8A (TA) | 4.5V, 10V | 98mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 511 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | irgr2b60kdtrlpbf | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | irgr2b60 | 기준 | 35 W. | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 2A, 100ohm, 15V | 68 ns | NPT | 600 v | 6.3 a | 8 a | 2.25V @ 15V, 2A | 74µJ (on), 39µJ (OFF) | 12 NC | 11ns/150ns | |||||||||||||||
![]() | IRLS4030-7PPBF | - | ![]() | 9664 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 190a (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11490 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFP1405-IR | - | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-AUIRFP1405-IR | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3607 | 2.0400 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGP4078DPBF | 2.7900 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 278 w | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 74 a | 150 a | 2.2V @ 15V, 50A | 1.1mj (OFF) | 92 NC | -/116ns | ||||||||||||||||||||
![]() | auirfz44z | 0.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7799L2TR | - | ![]() | 5314 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 250 v | 375A (TC) | 10V | 38mohm @ 21a, 10V | 5V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 30V | 6714 pf @ 25 v | - | 4.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | irlu2905zpbf | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 36a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | auirlr014n | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 10A (TC) | 140mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 v | ± 16V | 265 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF9952QTR | 0.5700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AUIRF9952 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | IRLR120NPBF | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 440 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRF6722MTRPBF | 0.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MP | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MP | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 56A (TC) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 13a, 10V | 2.4V @ 50µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFB4610 | 1.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFSL7437pbf | 1.0000 | ![]() | 4848 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2804STRL | 1.0000 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6450 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irg4bc30upbf | 1.3900 | ![]() | 441 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 100 W. | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 12a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.1V @ 15V, 12a | 160µJ (on), 200µJ (OFF) | 50 NC | 17ns/78ns | |||||||||||||||||
![]() | IRLS3036PBF | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 48 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irlh7134trpbf | - | ![]() | 4707 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 26A (TA), 50A (TC) | 3.3mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µa | 58 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3720 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | auirfz44vz | - | ![]() | 2296 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFS3006PBF | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFS3006TRL7PP | 1.0000 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 10V | 2.1mohm @ 168a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8850 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irg7pg42ud-epbf | 6.0500 | ![]() | 600 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 320 w | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 30A, 10ohm, 15V | 153 ns | 도랑 | 1000 v | 85 a | 90 a | 2V @ 15V, 30A | 2.105mj (on), 1.182mj (OFF) | 157 NC | 25ns/229ns | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8407 | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfs3607trl | 2.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfr3607trl | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRF8327STPBF | - | ![]() | 7296 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Sq | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 506 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 25µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1430 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB31N20DPBF | - | ![]() | 7641 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 31A (TC) | 10V | 82mohm @ 18a, 10V | 5.5V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 30V | 2370 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 200W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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