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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | irlh7134trpbf | - | ![]() | 4707 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 26A (TA), 50A (TC) | 3.3mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µa | 58 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3720 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8407 | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfs3607trl | 2.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfr3607trl | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRGS4607DTRLPBF | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 58 W. | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100ohm, 15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V, 4A | 140µJ (on), 62µJ (OFF) | 9 NC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||||
![]() | auirlr3105trl | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 25A (TC) | 37mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | 710 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS3006TRLPBF | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3704ZPBF | - | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 20 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1190 pf @ 10 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7484QTR | - | ![]() | 5539 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250µA | 100 nc @ 7 v | ± 8V | 3520 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IRFU3410PBF | - | ![]() | 9801 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB3006GPBF | - | ![]() | 5939 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB38N20DPBF | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 226 | n 채널 | 200 v | 43A (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfs3306trl | - | ![]() | 3904 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS3306 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR2908PBF | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1890 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRGF66524D0 | - | ![]() | 1539 | 0.00000000 | 국제 국제 | Automotive, AEC-Q101, CoolIRIGBT ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 214 w | TO-247AC | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-auirgf66524d0-600047 | 1 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 176 ns | 도랑 | 600 v | 60 a | 72 a | 1.9V @ 15V, 24A | 915µJ (on), 280µJ (OFF) | 50 NC | 30ns/75ns | ||||||||||||||||||
![]() | irgsl6b60kdpbf | 1.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 기준 | 90 W. | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 5A, 100ohm, 15V | 70 ns | NPT | 600 v | 13 a | 26 a | 2.2V @ 15V, 5A | 110µJ (on), 135µJ (OFF) | 18.2 NC | 25NS/215NS | |||||||||||||||||||
![]() | irg4psc71udpbf | - | ![]() | 1583 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | 기준 | 350 w | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 60A, 5ohm, 15V | 82 ns | - | 600 v | 85 a | 200a | 2V @ 15V, 60A | 3.26mj (on), 2.27mj (OFF) | 340 NC | 90ns/245ns | ||||||||||||||||
![]() | TT190N16SOFHPSA2 | - | ![]() | 5584 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-TT190N16SOFHPSA2-600047 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs8403trr | 1.4500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 800 | n 채널 | 40 v | 123A (TC) | 3.3mohm @ 70a, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 3183 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRFR7740PBF | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 87A (TC) | 7.2MOHM @ 52A, 10V | 3.7v @ 100µa | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 4430 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | 94-2354pbf | - | ![]() | 4160 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-94-2354PBF-600047 | 1 | n 채널 | 55 v | 110A (TC) | 8mohm @ 62a, 10V | 4V @ 250µA | 146 NC @ 10 v | 3247 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP20B120U-EP | 1.0000 | ![]() | 2518 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 300 w | TO-247AD | - | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 600V, 20A, 5ohm, 15V | NPT | 1200 v | 40 a | 120 a | 4.85V @ 15V, 40A | 850µJ (on), 425µJ (OFF) | 169 NC | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFU2607ZPBF | - | ![]() | 5619 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10V | 4V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1440 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7309PBF | - | ![]() | 2632 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 1.4W (TA) | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | n 및 p 채널 | 30V | 4A (TA), 3A (TA) | 50mohm @ 2.4a, 10v, 100mohm @ 1.8a, 10v | 1V @ 250µA | 25NC @ 4.5V | 520pf, 440pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||
![]() | irfh5301trpbf | - | ![]() | 8476 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 35A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.85mohm @ 50a, 10V | 2.35V @ 100µa | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 5114 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFSL4620PBF | 1.0000 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRL2203NSPBF | 1.0000 | ![]() | 9095 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 116A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 16V | 3290 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFSL3607pbf | - | ![]() | 2715 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 429 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRF3805L-7P | - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-7 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 160A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7820 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | auirl3705z | 0.9600 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | ± 16V | 2880 pf @ 25 v | - | 130W (TC) |
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