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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
AUIRF1405ZL International Rectifier AUIRF1405ZL 1.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 150A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4780 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRF8788PBF International Rectifier IRF8788PBF -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10V 2.35V @ 100µa 66 NC @ 4.5 v ± 20V 5720 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2N6806 International Rectifier 2N6806 1.8400
RFQ
 ECAD 3210 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 135 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 940mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 75W (TC)
AUIRFR5505TRL International Rectifier auirfr5505trl 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
IRG7PH46U-EP International Rectifier irg7ph46u-ep 5.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 469 w TO-247AD 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 600V, 40A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 130 a 160 a 2V @ 15V, 40A 2.56mj (on), 1.78mj (OFF) 220 NC 45NS/410NS
IRLR3114ZPBF International Rectifier IRLR3114ZPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRFS7540TRLPBF International Rectifier IRFS7540TRLPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 212 n 채널 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4555 pf @ 25 v - 160W (TC)
AUIRF1404ZS International Rectifier AUIRF1404Z 1.5300
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFF332 International Rectifier IRFF332 0.5600
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 99 n 채널 400 v 3A - - - - - 25W
AUIRFS4310TRL International Rectifier auirfs4310trl 1.0000
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
AUIRF2804 International Rectifier AUIRF2804 -
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 2.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
AUIRF3205ZS International Rectifier AUIRF3205Z 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 257 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
AUIRFS8407TRL International Rectifier auirfs8407trl -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 150µA 225 NC @ 10 v ± 20V 7330 pf @ 25 v - 230W (TC)
AUIRFS4115TRL International Rectifier auirfs4115trl -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 12 n 채널 150 v 99A (TC) 10V 12.1MOHM @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5270 pf @ 50 v - 375W (TC)
AUIRGP4062D-E International Rectifier auirgp4062d-e 6.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRGP4062 기준 250 W. PG-to247AD 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 24A, 10ohm, 15V 89 ns - 600 v 48 a 72 a 1.95V @ 15V, 24A 115µJ (on), 600µJ (OFF) 50 NC 41NS/104NS
IRF8313TRPBF International Rectifier IRF8313TRPBF -
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8313 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 30V 9.7a 15.5mohm @ 9.7a, 10V 2.35V @ 25µA 9NC @ 4.5V 760pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRG4PSH71KDPBF International Rectifier irg4psh71kdpbf 9.7800
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 0000.00.0000 1 800V, 42A, 5ohm, 15V 107 ns - 1200 v 78 a 156 a 3.9V @ 15V, 42A 5.68mj (on), 3.23mj (OFF) 410 NC 67NS/230NS
AUIRFR4105Z International Rectifier auirfr4105z -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
AUIRFR8405TRL International Rectifier auirfr8405trl 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.98mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5171 pf @ 25 v - 163W (TC)
AUIRL3705ZL International Rectifier auirl3705ZL 1.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v 2880 pf @ 25 v - 130W (TC)
IRF443 International Rectifier IRF443 -
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 450 v 4a - - - - 75W
IRF6716MTRPBF International Rectifier IRF6716MTRPBF 1.4700
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 귀 99 8541.29.0095 205 n 채널 25 v 39A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 100µa 59 NC @ 4.5 v ± 20V 5150 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 78W (TC)
AUIRFR8403TRL International Rectifier auirfr8403trl -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR8403 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10V 3.9V @ 100µA 99 NC @ 10 v ± 20V 3171 pf @ 25 v - 99W (TC)
IRFSL7730PBF International Rectifier IRFSL7730pbf 1.8400
RFQ
 ECAD 899 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL7730 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 75 v 195a (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 407 NC @ 10 v ± 20V 13660 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRFL024NTRPBF International Rectifier irfl024ntrpbf -
RFQ
 ECAD 8798 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRGS4064DTRLPBF International Rectifier IRGS4064DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 101 w D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 10A, 22ohm, 15V 62 ns 도랑 600 v 20 a 40 a 1.91V @ 15V, 10A 29µJ (on), 200µJ (OFF) 32 NC 27ns/79ns
IRFI4212H-117P International Rectifier IRFI4212H-117p 1.0000
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩 IRFI4212 MOSFET (금속 (() 18W TO-220-5 Full-Pak 다운로드 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 100V 11a 72.5mohm @ 6.6a, 10V 5V @ 250µA 18NC @ 10V 490pf @ 50V -
IRF6811STRPBF International Rectifier irf6811strpbf 0.7000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 국제 국제 DirectFet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 225 n 채널 25 v 19A (TA), 74A (TC) 3.7mohm @ 19a, 10V 2.1V @ 35µA 17 NC @ 4.5 v ± 16V 1590 pf @ 13 v - 2.1W (TA), 32W (TC)
IRGP4062DPBF International Rectifier IRGP4062DPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IRGP4062DPBF-600047 1
AUIRF3205 International Rectifier AUIRF3205 -
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-AUIRF3205-600047 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 62a, 10V 4V @ 250µA 146 NC @ 10 v ± 20V 3247 pf @ 25 v - 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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