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디스크리트 반도체(1252)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C
AUIRFS4410Z International Rectifier AUIRFS4410Z 1.9000
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 ECAD 5 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4410 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 97A (Tc) 10V 9m옴 @ 58A, 10V 4V @ 150μA 120nC @ 10V ±20V 50V에서 4820pF - 230W(Tc)
IRF7805PBF International Rectifier IRF7805PBF -
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 ECAD 6853 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 13A(타) 11m옴 @ 7A, 4.5V 3V @ 250μA 31nC @ 5V ±12V - 2.5W(타)
IRF1405ZLPBF International Rectifier IRF1405ZLPBF -
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 ECAD 7408 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 - 2156-IRF1405ZLPBF 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 4.9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 180nC @ 10V ±20V 4780pF @ 25V - 230W(Tc)
AUIRFR2905ZTRL International Rectifier AUIRFR2905ZTRL -
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 ECAD 6366 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 42A(Tc) 10V 14.5m옴 @ 36A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V ±20V 25V에서 1380pF - 110W(Tc)
IRF7469PBF International Rectifier IRF7469PBF -
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 ECAD 4796 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 9A(타) 4.5V, 10V 17m옴 @ 9A, 10V 3V @ 250μA 23nC @ 4.5V ±20V 2000pF @ 20V - 2.5W(타)
AUIRFS4115TRL International Rectifier AUIRFS4115TRL -
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 ECAD 2993년 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 12 N채널 150V 99A(Tc) 10V 12.1m옴 @ 62A, 10V 5V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 5270pF @ 50V - 375W(Tc)
IRL2203NSPBF International Rectifier IRL2203NSPBF 1.0000
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 ECAD 9095 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 116A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 60A, 10V 3V @ 250μA 60nC @ 4.5V ±16V 3290pF @ 25V - 3.8W(Ta), 180W(Tc)
AUIRF3205 International Rectifier AUIRF3205 -
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 ECAD 8020 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-AUIRF3205-600047 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 62A, 10V 4V @ 250μA 146nC @ 10V ±20V 3247pF @ 25V - 200W(Tc)
AUIRFS3306TRL International Rectifier AUIRFS3306TRL -
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 ECAD 3904 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRFS3306 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 120A(Tc) 10V 4.2m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 125nC @ 10V ±20V 50V에서 4520pF - 230W(Tc)
IRFR7540TRLPBF International Rectifier IRFR7540TRLPBF -
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 ECAD 6232 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR7540 MOSFET(금속) D-PAK(TO-252AA) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 90A(Tc) 6V, 10V 4.8m옴 @ 66A, 10V 100μA에서 3.7V 130nC @ 10V ±20V 4360pF @ 25V - 140W(Tc)
94-2354PBF International Rectifier 94-2354PBF -
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 ECAD 4160 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB - 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-94-2354PBF-600047 1 N채널 55V 110A(TC) 8m옴 @ 62A, 10V 4V @ 250μA 146nC @ 10V 3247pF @ 25V -
IRF3717TRPBF International Rectifier IRF3717TRPBF -
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 ECAD 5381 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO - 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 20V 20A(타) 4.5V, 10V 4.4m옴 @ 20A, 10V 2.45V @ 250μA 33nC @ 4.5V ±20V 2890pF @ 10V - 2.5W(타)
AUIRFSL8407 International Rectifier AUIRFSL8407 1.0000
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 ECAD 7931 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 195A(Tc) 10V 2m옴 @ 100A, 10V 4V @ 150μA 225nC @ 10V ±20V 25V에서 7330pF - 230W(Tc)
IRFR6215PBF International Rectifier IRFR6215PBF -
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 ECAD 6477 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 150V 13A(티씨) 10V 295m옴 @ 6.6A, 10V 4V @ 250μA 66nC @ 10V ±20V 25V에서 860pF - 110W(Tc)
IRFH5007TRPBF International Rectifier IRFH5007TRPBF -
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 ECAD 6663 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 75V 17A(Ta), 100A(Tc) 10V 5.9m옴 @ 50A, 10V 4V @ 150μA 98nC @ 10V ±20V 25V에서 4290pF - 3.6W(Ta), 156W(Tc)
AUIRLR014N International Rectifier AUIRLR014N -
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 ECAD 4748 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 10A(TC) 140m옴 @ 6A, 10V 3V @ 250μA 7.9nC @ 5V ±16V 25V에서 265pF - 28W(Tc)
IRFH7936TRPBF International Rectifier IRFH7936TRPBF 0.3600
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 20A(Ta), 54A(Tc) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 20A, 10V 50μA에서 2.35V 26nC @ 4.5V ±20V 2360pF @ 15V - 3.1W(타)
IRG7PSH54K10DPBF International Rectifier IRG7PSH54K10DPBF 8.7600
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 ECAD 8 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 520W SUPER-247™(TO-274AA) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 600V, 50A, 5옴, 15V 170ns - 1200V 120A 200A 2.4V @ 15V, 50A 4.8mJ(켜짐), 2.8mJ(꺼짐) 435nC 110ns/490ns
IRFR3411PBF International Rectifier IRFR3411PBF 0.3200
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 ECAD 6205 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 2156-IRFR3411PBF-IR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 32A(Tc) 44m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 71nC @ 10V ±20V 1960pF @ 25V - 130W(Tc)
IRF6725MTRPBF International Rectifier IRF6725MTRPBF -
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 ECAD 2651 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX MOSFET(금속) DIRECTFET™ MX 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 28A(타), 170A(Tc) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 28A, 10V 100μA에서 2.35V 54nC @ 4.5V ±20V 4700pF @ 15V - 2.8W(Ta), 100W(Tc)
IRG4BC30KDSTRRP-IR International Rectifier IRG4BC30KDSTRRP-IR -
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 ECAD 5422 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100W D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 480V, 16A, 23옴, 15V 42ns - 600V 28A 56A 2.7V @ 15V, 16A 600μJ(켜짐), 580μJ(꺼짐) 67nC 60ns/160ns
AUIRFR2905Z International Rectifier AUIRFR2905Z 0.7900
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8541.29.0095 380 N채널 55V 42A(Tc) 10V 14.5m옴 @ 36A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V ±20V 25V에서 1380pF - 110W(Tc)
AUIRFS4310ZTRL International Rectifier AUIRFS4310ZTRL 3.1700
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 ECAD 79 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRFS4310 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 95 N채널 100V 120A(Tc) 10V 6m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 170nC @ 10V ±20V 50V에서 6860pF - 250W(Tc)
IRF7809AVTRPBF-1 International Rectifier IRF7809AVTRPBF-1 -
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 ECAD 9279 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 13.3A(타) 4.5V 9m옴 @ 15A, 4.5V 1V @ 250μA 62nC @ 5V ±12V 3780pF @ 16V - 2.5W(타)
IRF2907ZPBF International Rectifier IRF2907ZPBF 2.4200
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 ECAD 21 0.00000000 국제정류기 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 124
AUIRF7737L2TR International Rectifier AUIRF7737L2TR 2.6200
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 ECAD 2 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 L6 MOSFET(금속) 다이렉트펫 L6 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 31A(Ta), 156A(Tc) 10V 1.9m옴 @ 94A, 10V 4V @ 150μA 134nC @ 10V ±20V 5469pF @ 25V - 3.3W(Ta), 83W(Tc)
IRF6726MTRPBFTR International Rectifier IRF6726MTRPBFTR 1.1900
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MT MOSFET(금속) DIRECTFET™ MT 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-IRF6726MTRPBFTR-600047 1 N채널 30V 32A(Ta), 180A(Tc) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 32A, 10V 150μA에서 2.35V 77nC @ 4.5V ±20V 15V에서 6140pF - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
AUIRFB4610 International Rectifier AUIRFB4610 1.6600
보상요청
 ECAD 15 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 73A (Tc) 10V 14m옴 @ 44A, 10V 4V @ 100μA 140nC @ 10V ±20V 50V에서 3550pF - 190W(Tc)
IRFAG20 International Rectifier IRFAG20 3.3400
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA (TO-3) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 1000V 1.3A - - - - - 50W
AUIRFR8405TRL International Rectifier AUIRFR8405TRL 1.5200
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 ECAD 2 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 100A(Tc) 10V 1.98m옴 @ 90A, 10V 100μA에서 3.9V 155nC @ 10V ±20V 5171pF @ 25V - 163W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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