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디스크리트 반도체(1252)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRGP4078DPBF	2.7900	보상요청	800	국제정류기	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		278W	TO-247AC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 50A, 10옴, 15V												도랑	600V	74A	150A	2.2V @ 15V, 50A	1.1mJ(꺼짐)	92nC	-/116ns
IRF7306TR	-	보상요청	8501	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)	2W(타)	8-SO	-				2156-IRF7306TR			1	2P채널			30V	3.6A(타)		100m옴 @ 1.8A, 10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V		440pF @ 25V	게임 레벨 레벨
AUIRGP4066D1-IR	2000년 8월	보상요청	445	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	AUIRGP4066	기준		454W	TO-247AC	-	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 75A, 10옴, 15V											240ns	도랑	600V	140A	225A	2.1V @ 15V, 75A	4.24mJ(켜짐), 2.17mJ(꺼짐)	225nC	50ns/200ns
IRF60B217	0.7000	보상요청	4	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		PG-TO220-3-1	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-IRF60B217	EAR99	8541.29.0095	1		N채널		60V	60A(Tc)	6V, 10V	9m옴 @ 36A, 10V	50μA에서 3.7V	66nC @ 10V	±20V	2230pF @ 25V	-	83W(Tc)
IRF3205STRLPBF	-	보상요청	3175	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드						0000.00.0000	1		N채널		55V	110A(TC)	10V	8m옴 @ 62A, 10V	4V @ 250μA	146nC @ 10V	±20V	3247pF @ 25V	-	200W(Tc)
AUIRLS4030-7TRL	-	보상요청	2234	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭)			MOSFET(금속)		D2PAK(7리드)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	83		N채널		100V	190A(Tc)	4.5V, 10V	3.9m옴 @ 110A, 10V	2.5V @ 250μA	140nC @ 4.5V	±16V	50V에서 11490pF	-	370W(Tc)
IRLR3705ZPBF	-	보상요청	5574	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		55V	42A(Tc)	4.5V, 10V	8m옴 @ 42A, 10V	3V @ 250μA	66nC @ 5V	±16V	2900pF @ 25V	-	130W(Tc)
IRF6722MTRPBF	0.9000	보상요청	1	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 MP			MOSFET(금속)		DIRECTFET™ MP	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		30V	13A(Ta), 56A(Tc)	4.5V, 10V	7.7m옴 @ 13A, 10V	50μA에서 2.4V	17nC @ 4.5V	±20V	15V에서 1300pF	-	2.3W(Ta), 42W(Tc)
IRF443	-	보상요청	7363	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AA			MOSFET(금속)		TO-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		450V	4A		-	-		-		-	75W
IRFR3704ZPBF	-	보상요청	7778	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		20V	60A(Tc)	4.5V, 10V	8.4m옴 @ 15A, 10V	2.55V @ 250μA	14nC @ 4.5V	±20V	1190pF @ 10V	-	48W(Tc)
AUIRFSL6535	1.5600	보상요청	13	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		PG-TO262-3-901	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		300V	19A(TC)	10V	185m옴 @ 11A, 10V	5V @ 150μA	57nC @ 10V	±20V	2340pF @ 25V	-	210W(Tc)
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	보상요청	5	국제정류기	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60W	D2PAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1			480V, 6.5A, 50옴, 15V											37ns	-	600V	13A	52A	2.1V @ 15V, 6.5A	160μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	27nC	39ns/93ns
IRF6218PBF-IR	-	보상요청	4038	국제정류기	HEXFET®	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-IRF6218PBF-IR	EAR99	0000.00.0000	50		P채널		150V	27A (Tc)		150m옴 @ 16A, 10V	5V @ 250μA	110nC @ 10V	±20V	2210pF @ 25V	-	250W(Tc)
AUIRFP1405-203	2.0200	보상요청	150	국제정류기	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우									다운로드					EAR99	8541.29.0095	1					160A(Tc)
AUIRL3705Z	0.9600	보상요청	750	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		55V	75A(Tc)	4.5V, 10V	8m옴 @ 52A, 10V	3V @ 250μA	60nC @ 5V	±16V	25V에서 2880pF	-	130W(Tc)
IRLU2905ZPBF	-	보상요청	3101	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		IPAK(TO-251)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		55V	42A(Tc)	4.5V, 10V	13.5m옴 @ 36A, 10V	3V @ 250μA	35nC @ 5V	±16V	25V에서 1570pF	-	110W(Tc)
IRFH5053TRPBF	-	보상요청	5845	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN			MOSFET(금속)		PQFN(5x6) 싱글 다이	다운로드						0000.00.0000	1		N채널		100V	9.3A(Ta), 46A(Tc)	10V	18m옴 @ 9.3A, 10V	100μA에서 4.9V	36nC @ 10V	±20V	50V에서 1510pF	-	3.1W(Ta), 8.3W(Tc)
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	보상요청	100	국제정류기	-	대부분	활동적인									다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1
AUIRFS8409TRL	-	보상요청	3374	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		40V	195A(Tc)	10V	1.2m옴 @ 100A, 10V	3.9V @ 250μA	450nC @ 10V	±20V	25V에서 14240pF	-	375W(Tc)
IRF8313PBF	-	보상요청	9284	국제정류기	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	IRF8313		MOSFET(금속)	2W(타)	8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,800	2 N채널(듀얼)			30V	9.7A(타)		15.5m옴 @ 9.7A, 10V	2.35V @ 25μA	9nC @ 4.5V		760pF @ 15V	-
IRFR3303TRPBF	-	보상요청	7880	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000		N채널		30V	33A(티씨)	10V	31m옴 @ 18A, 10V	4V @ 250μA	29nC @ 10V	±20V	25V에서 750pF	-	57W(Tc)
IRG7PH35UD1PBF	-	보상요청	8404	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		179W	TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 20A, 10옴, 15V												도랑	1200V	50A	150A	2.2V @ 15V, 20A	620μJ(꺼짐)	130nC	-/160ns
IRG4PH40UPBF	-	보상요청	5322	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		160W	TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			960V, 21A, 10옴, 15V												-	1200V	41A	82A	3.1V @ 15V, 21A	1.04mJ(켜짐), 3.4mJ(꺼짐)	130nC	24ns/220ns
AUIRLL024NTR-IR	0.6200	보상요청	4	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)		SOT-223	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,500		N채널		55V	3.1A(타)	4V, 10V	65m옴 @ 3.1A, 10V	2V @ 250μA	15.6nC @ 5V	±16V	510pF @ 25V	-	1W(타)
AUIRG4PC40S-E	-	보상요청	6803	국제정류기	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	AUIRG4	기준		160W	TO-247AD	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 31A, 10옴, 15V												-	600V	60A	120A	1.5V @ 15V, 31A	450μJ(켜짐), 6.5mJ(꺼짐)	150nC	22ns/650ns
IRG7PH50K10DPBF	6.4700	보상요청	5	국제정류기	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		400W	TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 35A, 5옴, 15V											130ns	-	1200V	90A	160A	2.4V @ 15V, 35A	2.3mJ(켜짐), 1.6mJ(꺼짐)	300nC	90ns/340ns
AUIRLR2905TRL	-	보상요청	3720	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널		55V	42A(Tc)	4V, 10V	27m옴 @ 25A, 10V	2V @ 250μA	48nC @ 5V	±16V	25V에서 1700pF	-	110W(Tc)
IRF630NSPBF	1.0000	보상요청	4978	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		200V	9.3A(Tc)	10V	300m옴 @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±20V	575pF @ 25V	-	82W(Tc)
IRLS3036PBF	-	보상요청	4499	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8542.39.0001	48		N채널		60V	195A(Tc)	4.5V, 10V	2.4m옴 @ 165A, 10V	2.5V @ 250μA	140nC @ 4.5V	±16V	50V에서 11210pF	-	380W(Tc)
AUIRL1404S	1.7900	보상요청	2	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-PAK(TO-252AA)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		40V	160A(Tc)	4.3V, 10V	4m옴 @ 95A, 10V	3V @ 250μA	140nC @ 5V	±20V	25V에서 6600pF	-	3.8W(Ta), 200W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(1252)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²