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불연속 불연속 제품 (1252)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGS4640DPBF | 2.4300 |  | 244 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 250 W. | D2PAK | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 v | 65 a | 72 a | 1.9V @ 15V, 24A | 115µJ (on), 600µJ (OFF) | 75 NC | 41NS/104NS | |||||||||||||||
 | IRGSL4062DPBF | 2.3700 | | 54 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 기준 | 250 W. | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 89 ns | 도랑 | 600 v | 48 a | 96 a | 1.95V @ 15V, 24A | 115µJ (on), 600µJ (OFF) | 50 NC | 41NS/104NS | |||||||||||||||
 | auirfr4104trl | 1.4700 | | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | 2950 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFU3707ZPBF | - | | 6221 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 56A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 2.25V @ 25µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1150 pf @ 15 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||
 | IRLR8259PBF | - | | 7570 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 425 | n 채널 | 25 v | 57A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 21a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 900 pf @ 13 v | - | 48W (TC) | |||||||||||||||
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| IRGSL30B60KPBF | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 기준 | 370 W. | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | NPT | 600 v | 78 a | 120 a | 2.35V @ 15V, 30A | 350µJ (on), 825µJ (OFF) | 102 NC | 46ns/185ns | ||||||||||||||||
 | IRF8736PBF | - | | 6310 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 18A (TA) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 18a, 10V | 2.35V @ 50µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2315 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| auirfu1010z | 0.8800 | | 825 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µa | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
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 | IRGP4063D-EPBF | - | | 9796 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4063D | 기준 | 330 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 115 ns | 도랑 | 600 v | 96 a | 200a | 2.14V @ 15V, 48A | 625µJ (on), 1.28mj (OFF) | 140 NC | 60ns/145ns | ||||||||||||||
| IRGP4078D-EPBF | 2.8900 | | 9 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 278 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 74 a | 150 a | 2.2V @ 15V, 50A | 1.1mj (OFF) | 92 NC | -/116ns | ||||||||||||||||
| auirg4pc40s-e | - | | 6803 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | auirg4 | 기준 | 160 W. | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 31a, 10ohm, 15v | - | 600 v | 60 a | 120 a | 1.5V @ 15V, 31A | 450µJ (on), 6.5mj (OFF) | 150 NC | 22ns/650ns | |||||||||||||||
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| IRGP4066PBF | 1.0000 | | 2016 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 454 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 140 a | 225 a | 2.1V @ 15V, 75A | 2.465mj (on), 2.155mj (OFF) | 225 NC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||
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 | AUIRFS8408-7p | - | | 4693 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 v | ± 20V | 10820 pf @ 25 v | - | 294W (TC) | ||||||||||||||||
| IRFR6215PBF | - | | 6477 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
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| IRGP50B60PD1PBF | 1.0000 | | 4039 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 390 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 390v, 33a, 3.3ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 75 a | 150 a | 2.85V @ 15V, 50A | 255µJ (on), 375µJ (OFF) | 308 NC | 30ns/130ns | |||||||||||||||
| IRL530NSPBF | - | | 9316 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 79W (TC) | |||||||||||||||
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| AUIRF4905L | 2.2800 | | 5 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
 | irg4bc30fdpbf | - | | 6216 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 100 W. | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | 42 ns | - | 600 v | 31 a | 124 a | 1.8V @ 15V, 17a | 630µj (on), 1.39mj (OFF) | 51 NC | 42ns/230ns | |||||||||||||||
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| IRFF9233 | 1.6200 | | 289 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 185 | n 채널 | 150 v | 3.5a | - | - | - | - | - | 25W | |||||||||||||||||
| IRG4PC40KPBF | - | | 1819 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 25A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 42 a | 84 a | 2.6V @ 15V, 25A | 620µJ (on), 330µJ (OFF) | 180 NC | 30ns/140ns | ||||||||||||||||
| irg4ph50udpbf | - | | 3601 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 200 w | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 24A, 5ohm, 15V | 90 ns | - | 1200 v | 45 a | 180 a | 3.7V @ 15V, 24A | 2.1mj (on), 1.5mj (OFF) | 160 NC | 47ns/110ns | |||||||||||||||
| irfr1018epbf | - | | 7403 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 83 | n 채널 | 60 v | 56A (TC) | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µa | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 50 v | - | 110W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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