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디스크리트 반도체(1252)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRG7PH37K10DPBF International Rectifier IRG7PH37K10DPBF 3.7400
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 ECAD 2 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 216W TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 600V, 15A, 10옴, 15V 120ns - 1200V 45A 60A 2.4V @ 15V, 15A 1mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 135nC 50ns/240ns
IRF1405ZSTRLPBF International Rectifier IRF1405ZSTRLPBF 1.2000
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 ECAD 410 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 4.9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 180nC @ 10V ±20V 4780pF @ 25V - 230W(Tc)
IRFB23N15DPBF International Rectifier IRFB23N15DPBF -
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 ECAD 9387 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 150V 23A(TC) 10V 90m옴 @ 14A, 10V 250μA에서 5.5V 56nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 3.8W(Ta), 136W(Tc)
IRG4BC40W-STRRP International Rectifier IRG4BC40W-STRRP -
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 ECAD 5987 0.00000000 국제정류기 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 160W D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 20A, 10옴, 15V - 600V 40A 160A 2.5V @ 15V, 20A 110μJ(켜짐), 230μJ(꺼짐) 98nC 27ns/100ns
IRF1405ZSPBF International Rectifier IRF1405ZSPBF -
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 ECAD 8083 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 75A(Tc) 4.9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 180nC @ 10V ±20V 4780pF @ 25V - 230W(Tc)
IRLS4030PBF International Rectifier IRLS4030PBF 1.0000
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 ECAD 3152 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 180A(Tc) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 110A, 10V 2.5V @ 250μA 130nC @ 4.5V ±16V 50V에서 11360pF - 370W(Tc)
IRFB3077PBF International Rectifier IRFB3077PBF -
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 ECAD 1405 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 75V 120A(Tc) 10V 3.3m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 220nC @ 10V ±20V 50V에서 9400pF - 370W(Tc)
IRFR18N15DPBF International Rectifier IRFR18N15DPBF -
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 ECAD 9265 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 150V 18A(TC) 125m옴 @ 11A, 10V 250μA에서 5.5V 43nC @ 10V ±30V 25V에서 900pF - 110W(Tc)
AUIRFS3004 International Rectifier AUIRFS3004 -
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 ECAD 9432 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK-3 (TO-263) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 195A(Tc) 10V 1.75m옴 @ 195A, 10V 4V @ 250μA 240nC @ 10V ±20V 9200pF @ 25V - 380W(Tc)
IRFSL7534PBF International Rectifier IRFSL7534PBF -
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 ECAD 6583 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 195A(Tc) 6V, 10V 2.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.7V 279nC @ 10V ±20V 25V에서 10034pF - 294W(Tc)
IRLI540NPBF International Rectifier IRLI540NPBF 1.0000
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 ECAD 3385 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220AB 풀팩 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 100V 23A(TC) 4V, 10V 44m옴 @ 12A, 10V 2V @ 250μA 74nC @ 5V ±16V 25V에서 1800pF - 54W(Tc)
AUIRLS3034-7TRL International Rectifier AUIRLS3034-7TRL 3.0900
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 ECAD 4 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 240A(Tc) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 200A, 10V 2.5V @ 250μA 180nC @ 4.5V ±20V 40V에서 10990pF - 380W(Tc)
IRF9395MTRPBF International Rectifier IRF9395MTRPBF 1.1200
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 ECAD 154 0.00000000 국제정류기 DirectFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MC IRF9395 MOSFET(금속) 2.1W(Ta), 57W(Tc) DirectFET™ 아이소메트릭 MC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 2 P채널(듀얼) 30V 14A(Ta), 75A(Tc) 7m옴 @ 14A, 10V 50μA에서 2.4V 64nC @ 4.5V 3241pF @ 15V -
AUIRF2907Z International Rectifier AUIRF2907Z 1.0000
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 ECAD 6182 0.00000000 국제정류기 자동차, AEC-Q101, HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 75A(Tc) 4.5m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 270nC @ 10V ±20V 25V에서 7500pF - 300W(Tc)
AUIRF2804S-7P International Rectifier AUIRF2804S-7P -
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 ECAD 2449 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB AUIRF2804 MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 240A(Tc) 10V 1.6m옴 @ 160A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 10V ±20V 6930pF @ 25V - 330W(Tc)
AUIRLR3705ZTRL International Rectifier AUIRLR3705ZTRL -
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 ECAD 1184 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 EAR99 8541.29.0095 98 N채널 55V 42A(Tc) 8m옴 @ 42A, 10V 3V @ 250μA 66nC @ 5V 2900pF @ 25V - 130W(Tc)
AUIRLR3114ZTRL International Rectifier AUIRLR3114ZTRL 1.1600
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 ECAD 2 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-PAK(TO-252AA) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 N채널 40V 42A(Tc) 4.9m옴 @ 42A, 10V 100μA에서 2.5V 56nC @ 4.5V 3810pF @ 25V - 140W(Tc)
IRGR3B60KD2TRP International Rectifier IRGR3B60KD2TRP -
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 ECAD 5663 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRGR3B60 기준 52W D-박 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 400V, 3A, 100옴, 15V 77ns NPT 600V 7.8A 15.6A 2.4V @ 15V, 3A 62μJ(켜짐), 39μJ(꺼짐) 13nC 18ns/110ns
AUIRF1405 International Rectifier AUIRF1405 1.8600
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 75A(Tc) 5.3m옴 @ 101A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 10V ±20V 5480pF @ 25V - 330W(Tc)
AUIRFR4292TRL International Rectifier AUIRFR4292TRL -
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 ECAD 9177 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 250V 9.3A(Tc) 10V 345m옴 @ 5.6A, 10V 5V @ 50μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 705pF - 100W(Tc)
IRFR15N20DPBF International Rectifier IRFR15N20DPBF -
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 ECAD 7869 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 17A(TC) 10V 165m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 5.5V 41nC @ 10V ±30V 25V에서 910pF - 3W(Ta), 140W(Tc)
IRG7PK35UD1-EPBF International Rectifier IRG7PK35UD1-EPBF 2.9400
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 ECAD 944 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 167W TO-247AD 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 600V, 20A, 10옴, 15V - 1400V 40A 200A 2.35V @ 15V, 20A 650μJ(꺼짐) 98nC -/150ns
IRFHM8342TRPBF International Rectifier IRFHM8342TRPBF 1.0000
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 ECAD 7246 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-PQFN-듀얼(3.3x3.3), Power33 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-IRFHM8342TRPBF-600047 1 N채널 30V 10A(Ta), 28A(Tc) 16m옴 @ 17A, 10V 2.35V @ 25μA 10nC @ 10V ±20V 25V에서 560pF - 2.6W(Ta), 20W(Tc)
AUIRF1404ZSTRL International Rectifier AUIRF1404ZSTRL 1.9900
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 ECAD 949 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D²PAK(TO-263AB) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 160A(Tc) 10V 3.7m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 4340pF - 200W(Tc)
IRFSL3806PBF International Rectifier IRFSL3806PBF -
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 ECAD 3003 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 43A(Tc) 10V 15.8m옴 @ 25A, 10V 4V @ 50μA 30nC @ 10V ±20V 50V에서 1150pF - 71W(Tc)
HFA15PB60PBF International Rectifier HFA15PB60PBF -
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 ECAD 1807년 0.00000000 국제정류기 HEXFRED® 대부분 활동적인 스루홀 TO-247-2 기준 TO-247AC 변경됨 다운로드 0000.00.0000 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 15A 60ns 600V에서 10μA -55°C ~ 150°C 15A -
AUIRLR2908TRL International Rectifier AUIRLR2908TRL -
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 ECAD 5012 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-PAK(TO-252AA) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 80V 30A(Tc) 28m옴 @ 23A, 10V 2.5V @ 250μA 33nC @ 4.5V 25V에서 1890pF - 120W(Tc)
IRF40H210 International Rectifier IRF40H210 -
보상요청
 ECAD 9970 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 40V 100A(Tc) 6V, 10V 1.7m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.7V 152nC @ 10V ±20V 5406pF @ 25V - 125W(Tc)
IRF3007PBF International Rectifier IRF3007PBF -
보상요청
 ECAD 2011년 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF3007 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 75V 75A(Tc) 10V 12.6m옴 @ 48A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 3270pF @ 25V - 200W(Tc)
IRG4BC40WPBF International Rectifier IRG4BC40WPBF -
보상요청
 ECAD 4525 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 160W TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 20A, 10옴, 15V - 600V 40A 160A 2.5V @ 15V, 20A 110μJ(켜짐), 230μJ(꺼짐) 98nC 27ns/100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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