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디스크리트 반도체(1252)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRF7101PBF International Rectifier IRF7101PBF -
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 ECAD 9113 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 2 N채널(듀얼) 20V 3.5A 100m옴 @ 1.8A, 10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V 320pF @ 15V 게임 레벨 레벨
IRFSL3206PBF International Rectifier IRFSL3206PBF -
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 ECAD 1386 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 120A(Tc) 10V 3m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 170nC @ 10V ±20V 50V에서 6540pF - 300W(Tc)
IRG4BC20KDPBF-IR International Rectifier IRG4BC20KDPBF-IR -
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 ECAD 3640 0.00000000 국제정류기 * 대부분 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1
IRF430 International Rectifier IRF430 1.4000
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 ECAD 7 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA (TO-3) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 500V 4.5A(Tc) 10V 1.8옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 250μA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 610pF - 75W(Tc)
IRFBA1405PPBF International Rectifier IRFBA1405PPBF -
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 ECAD 3070 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-273AA MOSFET(금속) SUPER-220™(TO-273AA) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 55V 174A(Tc) 10V 5m옴 @ 101A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 10V ±20V 5480pF @ 25V - 330W(Tc)
AUIRL1404ZL International Rectifier AUIRL1404ZL 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 40V 160A(Tc) 4.5V, 10V 3.1m옴 @ 75A, 10V 2.7V @ 250μA 110nC @ 5V ±16V 5080pF @ 25V - 200W(Tc)
AUIRFR1018E-IR International Rectifier AUIRFR1018E-IR -
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 ECAD 1703 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 56A(티씨) 10V 8.4m옴 @ 47A, 10V 4V @ 100μA 69nC @ 10V ±20V 50V에서 2290pF - 110W(Tc)
IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRG8P15N120KD-EPBF 3.3700
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 ECAD 8 0.00000000 국제정류기 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 125W TO-247AD 다운로드 EAR99 8542.39.0001 90 600V, 10A, 10옴, 15V 60ns - 1200V 30A 30A 2V @ 15V, 10A 600μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 98nC 15ns/170ns
IRF9383MTRPBF International Rectifier IRF9383MTRPBF 1.4100
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 ECAD 12 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX MOSFET(금속) DIRECTFET™ MX 다운로드 EAR99 8542.39.0001 214 P채널 30V 22A(Ta), 160A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 22A, 10V 2.4V @ 150μA 130nC @ 10V ±20V 7305pF @ 15V - 2.1W(Ta), 113W(Tc)
IRGS4B60KD1TRRP International Rectifier IRGS4B60KD1TRRP 1.1800
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 ECAD 259 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS4B60 기준 63W D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 259 400V, 4A, 100옴, 15V 93ns NPT 600V 11A 22A 2.5V @ 15V, 4A 73μJ(켜짐), 47μJ(꺼짐) 12nC 22ns/100ns
IRG4PF50WPBF International Rectifier IRG4PF50WPBF 1.0000
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 ECAD 6368 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 200W TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 720V, 28A, 5옴, 15V - 900V 51A 204A 2.7V @ 15V, 28A 190μJ(켜짐), 1.06mJ(꺼짐) 160nC 29ns/110ns
IRFR15N20DPBF International Rectifier IRFR15N20DPBF -
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 ECAD 7869 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 17A(TC) 10V 165m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 5.5V 41nC @ 10V ±30V 25V에서 910pF - 3W(Ta), 140W(Tc)
IRF431 International Rectifier IRF431 1.2400
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 450V 4.5A 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
IRGP6650D-EPBF International Rectifier IRGP6650D-EPBF 3.0000
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 ECAD 750 0.00000000 국제정류기 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 306W TO-247AD 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 35A, 10옴, 15V 50ns - 600V 80A 105A 1.95V @ 15V, 35A 300μJ(켜짐), 630μJ(꺼짐) 75nC 40ns/105ns
AUIRFP2907Z International Rectifier AUIRFP2907Z -
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 ECAD 6415 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC - EAR99 8541.29.0095 1 N채널 75V 170A(Tc) 10V 4.5m옴 @ 90A, 10V 4V @ 250μA 270nC @ 10V ±20V 25V에서 7500pF - 310W(Tc)
IRL60SL216 International Rectifier IRL60SL216 4.6500
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 HEXFET®, StrongIRFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 65 N채널 60V 195A(Tc) 4.5V, 10V 1.95m옴 @ 100A, 10V 2.4V @ 250μA 255nC @ 4.5V ±20V 15330pF @ 25V - 375W(Tc)
IRF6216PBF-IR International Rectifier IRF6216PBF-IR -
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 ECAD 6489 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 150V 2.2A(타) 240m옴 @ 1.3A, 10V 5V @ 250μA 49nC @ 10V ±20V 25V에서 1280pF - 2.5W(타)
IRG4RC10KDTRPBF International Rectifier IRG4RC10KDTRPBF 1.0000
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 ECAD 6391 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 38W D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 2,000 480V, 5A, 100옴, 15V 28ns - 600V 9A 18A 2.62V @ 15V, 5A 250μJ(켜짐), 140μJ(꺼짐) 29nC 49ns/97ns
IRFR18N15DPBF International Rectifier IRFR18N15DPBF -
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 ECAD 9265 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 150V 18A(TC) 125m옴 @ 11A, 10V 250μA에서 5.5V 43nC @ 10V ±30V 25V에서 900pF - 110W(Tc)
IRFHM8330TRPBF International Rectifier IRFHM8330TRPBF -
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 ECAD 8838 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 4,000 N채널 30V 16A(Ta), 55A(Tc) 6.6m옴 @ 20A, 10V 2.35V @ 25μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 2.7W(Ta), 33W(Tc)
IRF7473PBF International Rectifier IRF7473PBF -
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 ECAD 4124 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 6.9A(타) 10V 26m옴 @ 4.1A, 10V 250μA에서 5.5V 61nC @ 10V ±20V 3180pF @ 25V - 2.5W(타)
IRF8304MTRPBF International Rectifier IRF8304MTRPBF 0.8400
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 ECAD 1 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 MX 다운로드 EAR99 8541.29.0095 356 N채널 30V 28A(타), 170A(Tc) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 28A, 10V 100μA에서 2.35V 42nC @ 4.5V ±20V 4700pF @ 15V - 2.8W(Ta), 100W(Tc)
IRG7PH46UPBF International Rectifier IRG7PH46UPBF 1.0000
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 ECAD 1933년 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 469W TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 600V, 40A, 10옴, 15V 도랑 1200V 130A 160A 2V @ 15V, 40A 2.56mJ(켜짐), 1.78mJ(꺼짐) 220nC 45ns/410ns
IRFF9133 International Rectifier IRFF9133 -
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 ECAD 1380 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 70 N채널 80V 6.5A - - - - - 25W
IRF7665S2TRPBF International Rectifier IRF7665S2TRPBF 1.0000
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 ECAD 6187 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 SB MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 SB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 775 N채널 100V 4.1A(Ta), 14.4A(Tc) 62m옴 @ 8.9A, 10V 5V @ 25μA 13nC @ 10V ±20V 25V에서 515pF - 2.4W(Ta), 30W(Tc)
IRGP4262D-EPBF International Rectifier IRGP4262D-EPBF 1.0000
보상요청
 ECAD 6163 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 250W TO-247AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 400V, 24A, 10옴, 15V 170ns - 650V 60A 96A 2.1V @ 15V, 24A 520μJ(켜짐), 240μJ(꺼짐) 70nC 24ns/73ns
IRF3575DTRPBF International Rectifier IRF3575DTRPBF 1.8300
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 ECAD 3 0.00000000 국제정류기 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 32-PowerWFQFN IRF3575 MOSFET(금속) - 32-PQFN(6x6) 다운로드 해당 없음 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 2 N채널(듀얼) 25V 303A(Tc) - - - - -
AUIRF1405ZS-7TRL International Rectifier AUIRF1405ZS-7TRL 1.0000
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 ECAD 5434 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 120A(Tc) 10V 4.9m옴 @ 88A, 10V 4V @ 150μA 230nC @ 10V ±20V 25V에서 5360pF - 230W(Tc)
IRL1404SPBF International Rectifier IRL1404SPBF -
보상요청
 ECAD 2560 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 40V 160A(Tc) 4.3V, 10V 4m옴 @ 95A, 10V 3V @ 250μA 140nC @ 5V ±20V 25V에서 6600pF - 3.8W(Ta), 200W(Tc)
AUIRF7313QTR International Rectifier AUIRF7313QTR 1.0000
보상요청
 ECAD 8983 0.00000000 국제정류기 HEXFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) AUIRF7313 MOSFET(금속) 2.4W 8-SOIC 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 30V 6.9A 29m옴 @ 6.9A, 10V 3V @ 250μA 33nC @ 10V 25V에서 755pF 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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