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디스크리트 반도체(1252)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C
AUIRF6215	1.0000	보상요청	5014	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		P채널					150V	13A(티씨)	10V	290m옴 @ 6.6A, 10V	4V @ 250μA	66nC @ 10V	±20V	25V에서 860pF	-	110W(Tc)
IRG8P50N120KD-EPBF	6.5000	보상요청	7	국제정류기	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			기준		350W	TO-247AD	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			600V, 35A, 5옴, 15V														170ns	-	1200V	80A	105A	2V @ 15V, 35A	2.3mJ(켜짐), 1.9mJ(꺼짐)	315nC	35ns/190ns
AUIRGSL30B60K	2.3500	보상요청	8	국제정류기	*	대부분	활동적인					AUIRGSL30					다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
AUIRFP4310Z	1.0000	보상요청	2800	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3				MOSFET(금속)		PG-TO247-3	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	25		N채널					100V	128A(Tc)	10V	6m옴 @ 77A, 10V	4V @ 150μA	188nC @ 10V	±20V	7120pF @ 50V	-	278W(Tc)
IRAM136-1060BS	1.0000	보상요청	3201	국제정류기	iMOTION™	대부분	활동적인		스루홀	29-SSIP 모듈, 21리드, 아름다운 리드	IGBT						다운로드	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.39.0001	1	3상 인버터			3.6A	600V	2000Vrms
IRG4PH30KDPBF	-	보상요청	7345	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			기준		100W	TO-247AC	다운로드	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			800V, 10A, 23옴, 15V														50ns	-	1200V	20A	40A	4.2V @ 15V, 10A	950μJ(켜짐), 1.15mJ(꺼짐)	53nC	39ns/220ns
AUIRLR2703TRL	0.9100	보상요청	2	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					30V	20A(TC)		45m옴 @ 14A, 10V	1V @ 250μA	15nC @ 4.5V		25V에서 450pF	-	45W(Tc)
IRF9Z34NSTRRPBF	-	보상요청	4590	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	800		P채널					55V	19A(TC)	10V	100m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±20V	25V에서 620pF	-	3.8W(Ta), 68W(Tc)
IRLR7833TRPBF	-	보상요청	7124	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					30V	140A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 15A, 10V	2.3V @ 250μA	50nC @ 4.5V	±20V	4010pF @ 15V	-	140W(Tc)
IRFAF42	6.5000	보상요청	60	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AE				MOSFET(금속)		TO-204AE	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					500V	7A		-	-		-		-	125W
IRF362	9.1700	보상요청	160	국제정류기	-	대부분	활동적인	-	스루홀	TO-204AA, TO-3				MOSFET(금속)		TO-204AA (TO-3)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					400V	22A	-	-	-		-		-	300W
IRLR3636PBF	-	보상요청	4351	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					60V	50A(Tc)	4.5V, 10V	6.8m옴 @ 50A, 10V	100μA에서 2.5V	49nC @ 4.5V	±16V	50V에서 3779pF	-	143W(Tc)
IRG4IBC30UDPBF	1.0000	보상요청	9741	국제정류기	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			기준		45W	TO-220AB 풀팩	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 12A, 23옴, 15V														42ns	-	600V	17A	68A	2.1V @ 15V, 12A	380μJ(켜짐), 160μJ(꺼짐)	50nC	40ns/91ns
IRFR220NPBF	1.0000	보상요청	3436	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드						0000.00.0000	1		N채널					200V	5A(Tc)	10V	600m옴 @ 2.9A, 10V	4V @ 250μA	23nC @ 10V	±20V	25V에서 300pF	-	43W(Tc)
IRF7413TRPBF	-	보상요청	8428	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	4,000		N채널					30V	13A(타)		11m옴 @ 7.3A, 10V	3V @ 250μA	79nC @ 10V	±20V	25V에서 1800pF	-	2.5W(타)
IRG4IBC20UDPBF	0.9700	보상요청	272	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			기준		34W	TO-220AB 풀팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 6.5A, 50옴, 15V														37ns	-	600V	11.4A	52A	2.1V @ 15V, 6.5A	160μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	27nC	39ns/93ns
IRFS3806PBF	0.3500	보상요청	7892	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8542.39.0001	290		N채널					60V	43A(Tc)	10V	15.8m옴 @ 25A, 10V	4V @ 50μA	30nC @ 10V	±20V	50V에서 1150pF	-	71W(Tc)
IRF120CECC	-	보상요청	6415	국제정류기	*	대부분	활동적인					IRF120		-			-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1															-
IRL3714ZSPBF	1.0000	보상요청	9621	국제정류기	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널					20V	36A(티씨)	4.5V, 10V	16m옴 @ 15A, 10V	2.55V @ 250μA	7.2nC @ 4.5V	±20V	10V에서 550pF	-	35W(Tc)
IRFH8337TRPBF	1.0000	보상요청	7798	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN				MOSFET(금속)		PQFN(5x6)	다운로드						0000.00.0000	1		N채널					30V	12A(Ta), 35A(Tc)	4.5V, 10V	12.8m옴 @ 16.2A, 10V	2.35V @ 25μA	10nC @ 10V	±20V	10V에서 790pF	-	3.2W(Ta), 27W(Tc)
AUIRFR2405	1.0500	보상요청	13	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-PAK(TO-252AA)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					55V	30A(Tc)	10V	16m옴 @ 34A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±20V	2430pF @ 25V	-	110W(Tc)
AUIRFR2607ZTRL	-	보상요청	9048	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널					75V	42A(Tc)	10V	22m옴 @ 30A, 10V	4V @ 50μA	51nC @ 10V	±20V	25V에서 1440pF	-	110W(Tc)
AUIRF7734M2TR	0.9400	보상요청	4	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 M2				MOSFET(금속)		DirectFET™ 아이소메트릭 M2	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					40V	17A(타)	10V	4.9m옴 @ 43A, 10V	4V @ 100μA	72nC @ 10V	±20V	2545pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 46W(Tc)
FD800R17KE3B2NOSA1-IR	-	보상요청	3190	국제정류기	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1
IRG4RC20FPBF	0.7700	보상요청	6	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		IRG4RC20FPBF	기준		66W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 12A, 50옴, 15V															-	600V	22A	44A	2.1V @ 15V, 12A	190μJ(켜짐), 920μJ(꺼짐)	27nC	26ns/194ns
IRFR120NTRPBF	-	보상요청	9869	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인		표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	145		N채널					100V	9.4A(Tc)	10V	210m옴 @ 5.6A, 10V	4V @ 250μA	25nC @ 10V	±20V	330pF @ 25V	-	48W(Tc)
IRGP4069DPBF	-	보상요청	7252	국제정류기	*	대부분	활동적인										다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-IRGP4069DPBF-600047	EAR99	8541.29.0095	1
IRFPS3815PBF	-	보상요청	6082	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-274AA				MOSFET(금속)		SUPER-247™(TO-274AA)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					150V	105A(Tc)	10V	15m옴 @ 63A, 10V	5V @ 250μA	390nC @ 10V	±30V	25V에서 6810pF	-	441W(Tc)
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	보상요청	2	국제정류기	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우										-					EAR99	8542.39.0001	1
IRF530NSPBF	-	보상요청	8799	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널					100V	17A(TC)	10V	90m옴 @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37nC @ 10V	±20V	25V에서 920pF	-	3.8W(Ta), 70W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(1252)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²