SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SS16L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS16L M2G -
RFQ
ECAD 6929 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
UG1005G Taiwan Semiconductor Corporation UG1005G 0.5043
RFQ
ECAD 7462 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 UG1005 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 5 a 22 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C
SR104HR1G Taiwan Semiconductor Corporation sr104hr1g -
RFQ
ECAD 9643 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR104 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BAS85 L0 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85 L0 -
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Schottky 미니 미니 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAS85L0 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZT52C36S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C36S RRG -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 25.2 v 36 v 90 옴
HS3FB Taiwan Semiconductor Corporation HS3FB 0.1377
RFQ
ECAD 4889 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB HS3F 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SS215LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHRHG -
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS26L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L RHG -
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SFAF503G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF503G C0G -
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF503 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
BZS55B8V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B8V2 래그 -
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B8V2RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-25A1TB 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 5V 100MHz
SK515CH Taiwan Semiconductor Corporation SK515CH 0.2296
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 5 a 300 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
HERA803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA803G C0G -
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 HERA803 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 65pf @ 4V, 1MHz
BZT52B75S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B75S 0.0385
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B75STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
1N5237B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5237B A0G -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5237 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
2M62ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M62ZH 0.1667
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M62 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 47.1 v 62 v 60 옴
1SMA180ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA180ZHR3G -
RFQ
ECAD 7400 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA180 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 136.8 v 180 v 1200 옴
BZD27C82PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHRVG -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
1M120ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120ZHR1G -
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M120 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
BZT55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V2 0.0385
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B6V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
TST30L150CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30L150CW 2.5000
RFQ
ECAD 219 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 920 MV @ 15 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZD27C180P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P MHG -
RFQ
ECAD 4761 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZD27C24P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RQG -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
BZY55B11 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B11 0.0486
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzy55b11tr 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
ES1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation es1dlhmtg -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C180P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P M2G -
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZD27C82PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PWH 0.1191
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
BZD27C82PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PW 0.1092
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
BZT52C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27 0.0412
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C27TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
RS1ML MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ml Mtg -
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1m 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고