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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1SMB5946H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5946H 0.1545
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5946 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 56 v 75 v 140 옴
BC807-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40 0.0435
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC807-40TR 귀 99 8541.21.0075 6,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
FR204G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR204G B0G -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR204 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C30 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C30 RWG -
RFQ
ECAD 2517 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 80 옴
BZD27C22P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P MTG -
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
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ECAD 6639 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF5150H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
ESH3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D R6G -
RFQ
ECAD 9686 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3dr6gtr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
TSF40H120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H120C 3.1800
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ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF40 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 600 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C160P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P 0.2888
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ECAD 3686 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
SF36GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF36GHA0G -
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ECAD 2006 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF36 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
RSFKL RUG Taiwan Semiconductor Corporation rsfkl l -
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SK15B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK15B M4G -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK15 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
RS3D Taiwan Semiconductor Corporation RS3D 0.1648
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ECAD 9836 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMB5929H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5929H 0.1545
RFQ
ECAD 2015 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5929 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
GBPC1502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1502W T0G -
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1502 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
BZT55C68 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C68 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 6930 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 51 v 68 v 160 옴
SRS1090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1090HMNG -
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1090 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 900 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C51P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P MQG -
RFQ
ECAD 5022 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
TSM4NB60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CI C0G 1.1907
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4NB60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2A, 2A, 10V 2.5ohm 4.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 50W (TC)
1PGSMB5930HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5930hr5g 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5930 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
S2JH Taiwan Semiconductor Corporation S2JH 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
SRF10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF10100HC0G -
RFQ
ECAD 7638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF10100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 900 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX585B15 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B15 RKG -
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
6A40GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40GHA0G -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A40 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 400 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PHR3G 0.2933
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
SK510BH Taiwan Semiconductor Corporation SK510BH 0.5400
RFQ
ECAD 4311 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK510 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SRF2090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2090HC0G -
RFQ
ECAD 2479 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF2090 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 920 MV @ 10 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1JB R5G -
RFQ
ECAD 8096 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S1J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
S5GBH Taiwan Semiconductor Corporation S5GBH 0.1415
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
S2AH Taiwan Semiconductor Corporation S2AH -
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S2AHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고