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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
ES1HL MQG	-	RFQ	6314	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1H	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
BZX84C6V8 RFG	0.0511	RFQ	1177	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
UG06D	0.0953	RFQ	8639	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	UG06	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 600 MA	15 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	600ma	9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C91P RFG	-	RFQ	6555	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 68 v						90.5 v	200 옴
bzy55b3v6	0.0413	RFQ	1828	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZY55B3V6TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.6 v	85 옴
S3K M6G	-	RFQ	1278	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													800 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
M3Z27VC	0.0294	RFQ	9814	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	M3Z27		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-M3Z27VCTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
UF4001 R0G	-	RFQ	8612	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4001	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SFAS801G MNG	-	RFQ	9810	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFAS801	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	80pf @ 4V, 1MHz
2M100ZHA0G	-	RFQ	3776	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M100		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		500 NA @ 76 v						100 v	175 옴
1SMB5948HR5G	-	RFQ	7259	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5948		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																		1 µa @ 69.2 v						91 v	200 옴
BZX79C20 A0G	-	RFQ	2058	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 100 ma		50 na @ 14 v						20 v	55 옴
mur260	0.1619	RFQ	8614	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	mur260	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MUR260TR	귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.35 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz
HER305G A0G	1.1900	RFQ	732	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER305	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
UR8KB80	0.8976	RFQ	7950	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UR8KB80	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25																1.2 v @ 8 a		10 µa @ 800 v		8 a		단일 단일	800 v
TSM070NA04LCR RLG	-	RFQ	8379	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM070	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	91A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 14a, 10V	2.5V @ 250µA	23.5 nc @ 10 v	± 20V	1469 pf @ 20 v	-	113W (TC)
SRS1630HMNG	-	RFQ	8436	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS1630	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	30 v	16A	550 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
LL5819 L0	-	RFQ	8583	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	LL5819	Schottky		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LL5819L0	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		900 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SFF2002GHC0G	-	RFQ	6458	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF2002	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		975 MV @ 10 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	90pf @ 4V, 1MHz
hs1dlwh	0.0906	RFQ	8689	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS1DLWHTR	귀 99	8541.10.0080	20,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 1 a	50 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
SRS2060 MNG	-	RFQ	2049	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS2060	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	20A	700 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C3V3 L0G	0.0350	RFQ	3299	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.3 v	85 옴
S1JFS MWG	0.4300	RFQ	17	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	S1J	기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	짐													600 v		1.1 v @ 1 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
MUR360S R6G	-	RFQ	7835	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR360SR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
ESH1JM RSG	-	RFQ	7885	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 리드	ESH1	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.5 v @ 1 a	25 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	3pf @ 4V, 1MHz
SS1H15LW RVG	0.1517	RFQ	4520	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS1H15	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		850 mv @ 1 a		500 NA @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
MTZJ39SF	0.0305	RFQ	7975	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj39		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ39SFTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																		200 na @ 30 v						39.13 v	85 옴
2M14ZHB0G	-	RFQ	6737	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M14		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																		500 NA @ 10.6 v						14 v	5.5 옴
SS26L l	-	RFQ	2598	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS26	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
S12JC M6G	-	RFQ	5040	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S12J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													600 v		1.1 v @ 12 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	78pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²