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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SFS1605G	0.7671	RFQ	9387	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFS1605	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C39PW	0.1638	RFQ	5951	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1 v @ 200 ma		1 µa @ 30 v									39 v	40
1SMA4738 M2G	-	RFQ	2296	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4738		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500								5 µa @ 6 v									8.2 v	4.5 옴
sff2008gh	-	RFQ	7352	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF2008	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	90pf @ 4V, 1MHz
TSD10H100CW	2.6400	RFQ	10	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	TSD10			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800
1pgsma4761 R3g	0.4200	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4761		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v									75 v	175 옴
BZD27C62P R3G	-	RFQ	6108	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47 v									62 v	80 옴
SF808G	0.6162	RFQ	4725	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF808	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	50pf @ 4V, 1MHz
MBRF2050 C0G	-	RFQ	9342	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF2050	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		820 MV @ 20 a		200 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BZD27C8V2P MHG	-	RFQ	7240	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v									8.2 v	2 옴
dbl157gh	0.2874	RFQ	1026	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	DBL157	기준		DBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50						1.1 v @ 1.5 a		2 µa @ 1000 v		1.5 a				단일 단일	1kv
S15JC M6G	-	RFQ	5214	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S15J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.1 v @ 15 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	93pf @ 4v, 1MHz
GBPC2508W	3.1618	RFQ	9061	대만 대만 회사	GBPC25	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC2508	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GBPC2508W	귀 99	8541.10.0080	200						1.1 v @ 12.5 a		5 µa @ 800 v		25 a				단일 단일	800 v
KBU602G T0G	-	RFQ	3350	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU602GT0G	귀 99	8541.10.0080	500						1.1 v @ 6 a		5 µa @ 100 v		6 a				단일 단일	100 v
BZD27C150PHM2G	-	RFQ	9123	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 110 v									147 v	300 옴
BC849AW	0.0361	RFQ	6118	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC849		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-bc849awtr	귀 99	8541.21.0075	18,000												30 v	100 MA			15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	110 @ 2MA, 5V	100MHz
TBS608	1.5300	RFQ	3	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	TBS608	기준		TBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800						1 V @ 6 a		2 µa @ 800 v		6 a				단일 단일	800 v
MTZJ5V1SB R0G	0.0305	RFQ	4032	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj5		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								5 µa @ 1.5 v									5.07 v	80 옴
SF3004PTHC0G	-	RFQ	8636	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	SF3004	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 15 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	175pf @ 4V, 1MHz
1N4751A	0.1118	RFQ	1187	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 22.8 v									30 v	40
1pgsmc5357	0.3266	RFQ	5873	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1pgsmc5357tr	귀 99	8541.10.0050	3,000								500 NA @ 15.2 v									20 v	3 옴
SS120	0.4900	RFQ	2242	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		짐		200 v		950 MV @ 1 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	31pf @ 4V, 1MHz
TS10K80	1.4500	RFQ	1	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	TS10K80	기준		TS4K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20						1 V @ 2 a		10 µa @ 800 v		10 a				단일 단일	800 v
AZ23C4V3 RFG	0.0786	RFQ	7616	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통																4.3 v	95 옴
BZT52C36K RKG	0.0474	RFQ	4651	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 27 v									36 v	90 옴
MBRS15H45CTH	0.6928	RFQ	4461	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS15	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRS15H45CTHTR	귀 99	8541.10.0080	1,600		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	15a	800 mV @ 15 a		30 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SR010 A0G	-	RFQ	1121	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR010	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 500 mA		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	65pf @ 4V, 1MHz
SS26LHMHG	-	RFQ	6834	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS26	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZS55C13 RXG	0.0340	RFQ	4621	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 10 ma		100 na @ 10 v									13 v	26 옴
LL4001G L0G	-	RFQ	4218	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	LL4001	기준		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-ll4001GL0GTR	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²