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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4937G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937G A0G -
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C33PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PW 0.1638
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
1PGSMC5360H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5360h 0.3459
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
BZT52C7V5K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5K 0.0474
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C7V5KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 500 na @ 4 v 7.5 v 15 옴
HS5D R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5D R6G -
RFQ
ECAD 2355 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS5DR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
MTZJ39SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SA 0.0305
RFQ
ECAD 8715 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj39 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj39Satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 v 35.58 v 85 옴
SS115LWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LWHRVG 0.4200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS115 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TS6P04G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P04G D2G -
RFQ
ECAD 2683 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P04 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
ES1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation es1dlhmtg -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C75PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHR3G -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 74.5 v 100 옴
1M120ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120ZHR1G -
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M120 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
BZY55B11 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B11 0.0486
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzy55b11tr 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
TST30L150CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30L150CW 2.5000
RFQ
ECAD 219 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 920 MV @ 15 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZD27C82PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHRVG -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
BZD27C24P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RQG -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
BZD27C180P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P M2G -
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZT55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V2 0.0385
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B6V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
HS1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL M2G -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZX79B8V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B8V2 A0G -
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 5 MA @ 700 MV 8.2 v 15 옴
1N5237B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5237B A0G -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5237 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
2M62ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M62ZH 0.1667
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M62 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 47.1 v 62 v 60 옴
RS1ML MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ml Mtg -
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1m 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
US1KH Taiwan Semiconductor Corporation US1KH 0.0827
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N4739G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4739G 0.0627
RFQ
ECAD 6786 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4739 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4739GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
BZT55C8V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C8V2 L1G -
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
1PGSMB5931HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5931hr5g -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5931 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
TS35P05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05GH 1.5366
RFQ
ECAD 8347 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS35P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
SFF2003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF2003GHC0G -
RFQ
ECAD 3519 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF2003 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
RS3BHM6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3BHM6G -
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SRAF520 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF520 C0G -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF520 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고