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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
Bzy55B24	0.0486	RFQ	3977	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZY55B24TR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 18 v						24 v	80 옴
BZD27C20P RHG	-	RFQ	1717	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15 v						20 v	15 옴
KBP101G C2G	-	RFQ	7256	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1 a		10 µa @ 50 v		1 a		단일 단일	50 v
BZD27C120P RTG	-	RFQ	1080	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v						120.5 v	300 옴
UF1A	-	RFQ	6324	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-uf1atr	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
TS40P07G	2.7800	RFQ	456	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS40P07	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 20 a		10 µa @ 1000 v		40 a		단일 단일	1kv
SS25LHR3G	0.3210	RFQ	9743	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS25	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBRAD2045H	1.2400	RFQ	6318	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRAD2045	Schottky		윈스 윈스	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		730 mv @ 20 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	927pf @ 4V, 1MHz
SRA1650HC0G	-	RFQ	2358	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA1650	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mV @ 16 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MUR310SHR7G	-	RFQ	2344	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR310	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BZT55B5V1 L0G	0.0385	RFQ	3764	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 1 v						5.1 v	35 옴
DBLS159G C1G	-	RFQ	2936	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS159	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.25 V @ 1.5 a		2 µa @ 1400 v		1.5 a		단일 단일	1.4kV
1SMC5352 R6G	-	RFQ	6146	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1SMC5352R6GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000							1 µa @ 11.5 v						15 v	2.5 옴
RS3MFS	0.0972	RFQ	3387	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RS3MFSTR	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 3 a	160 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	15pf @ 4V, 1MHz
GBPC1506W T0G	-	RFQ	8514	대만 대만 회사	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC15	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 7.5 a		5 µa @ 600 v		15 a		단일 단일	600 v
1SMA5954 R3G	-	RFQ	1667	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5954		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							500 NA @ 121.6 v						160 v	700 옴
DBLS104G C1G	-	RFQ	7612	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS104	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		2 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v
TSF20U80C	-	RFQ	3105	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF20	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	10A	770 MV @ 10 a		600 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR220	0.1038	RFQ	4476	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SR220	Schottky		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
ZM4734A L0G	0.0830	RFQ	8171	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4734		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							10 µa @ 2 v						5.6 v	5 옴
FR151G R0G	-	RFQ	2344	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR151	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
HS5M R6	-	RFQ	4053	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HS5MR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
MBR1550CTHC0G	-	RFQ	5276	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1550	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	15a	750MV @ 7.5 a		300 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
ZM4742A	0.0830	RFQ	9292	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4742		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-zm4742atr	귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 9.1 v						12 v	9 옴
2M12Z B0G	-	RFQ	9158	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M12		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							1 µa @ 9.1 v						12 v	4.5 옴
DBLS154GH	0.3209	RFQ	5894	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS154	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500					1.1 v @ 1.5 a		2 µa @ 400 v		1.5 a		단일 단일	400 v
MUR420 A0G	0.8900	RFQ	1	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR420	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		890 mV @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
1N5817 A0G	0.0877	RFQ	3591	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5817	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	55pf @ 4V, 1MHz
BZD17C43PH	0.2790	RFQ	6989	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C43PHTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 200 ma		1 µa @ 33 v						43 v	45 옴
BZT52B9V1S R9G	0.2600	RFQ	3518	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		450 na @ 6 v						9.1 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²