SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C6V8P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P M2G -
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.8 v 3 옴
SR203 Taiwan Semiconductor Corporation SR203 0.1336
RFQ
ECAD 5954 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr203tr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
1PGSMB5926HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5926hr5g 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5926 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 8.4 v 11 v 5.5 옴
1SMB5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5933H 0.1545
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5933 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
SR009HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009HB0G -
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR009 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
RS3K V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K V7G -
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
AZ23C15 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C15 0.0786
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C15TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
HS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RVG 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1MLS Taiwan Semiconductor Corporation S1MLS 0.0534
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-s1mlstr 귀 99 8541.10.0080 20,000 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
1SMB5949HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5949HR5G -
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5949 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
SRA830HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA830HC0G -
RFQ
ECAD 7737 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA830 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
TSZU52C36 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C36 RGG 0.0676
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
1SMA5932 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5932 0.0935
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5932 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 15.2 v 20 v 14 옴
BZT52C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7 0.0412
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C2V7TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 18 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
1N4007GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007GHA0G -
RFQ
ECAD 1233 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD17C18P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P R3G -
RFQ
ECAD 2923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
ZM4742A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4742A L0G 0.0830
RFQ
ECAD 7297 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4742 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
BZD27C7V5P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RFG -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
BZD17C33P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P RQG -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
BZX585B22 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B22 RKG -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
SS15LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHR3G 0.2247
RFQ
ECAD 4356 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TSSA3U60 Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60 0.2526
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA TSSA3 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 540 mV @ 3 a 25 ns 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 610pf @ 4v, 1MHz
SRS1040H Taiwan Semiconductor Corporation SRS1040H 0.7126
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
TUAU8GH Taiwan Semiconductor Corporation tuau8gh 0.3108
RFQ
ECAD 5927 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuau8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuau8ghtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
S1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhmtg -
RFQ
ECAD 8394 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
1SMB5956H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956H 0.1545
RFQ
ECAD 2985 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
RS3KHM6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3KHM6G -
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD17C13P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RVG -
RFQ
ECAD 4594 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ C0G 9.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM190 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 190a (TC) 10V 4.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 8600 pf @ 30 v - 250W (TC)
S1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL 깔개 0.1605
RFQ
ECAD 8026 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고