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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BC337-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1 -
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC337-40-B0A1TB 쓸모없는 1 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
1N5402GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402GH -
RFQ
ECAD 3931 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1n5402GHTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 200 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SR503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR503HB0G -
RFQ
ECAD 5027 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR503 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
1SMB5952H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5952H 0.1545
RFQ
ECAD 7484 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5952 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
TPMR6J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6J S1G 1.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TPMR6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 V @ 6 a 40 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
UDZS33B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS33B RRG -
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS33 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 na @ 25 v 33 v 100 옴
1PGSMC5362 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5362 0.3249
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5362tr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 21.2 v 28 v 6 옴
TSC4505CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSC4505CX RFG 1.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSC4505 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 10V 20MHz
BZS55B13 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B13 RXG -
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
MTZJ22SD Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ22SD 0.0305
RFQ
ECAD 1658 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj22 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ22SDTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 17 v 22.08 v 30 옴
SR115HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr115ha0g -
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR115 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMA5931 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5931 0.0935
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5931 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 13.7 v 18 v 12 옴
BZD27C47PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRVG 0.2933
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1JM RSG 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
S2DAL Taiwan Semiconductor Corporation s2dal 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S2D 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 200 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
TSP10H60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H60S S1G 1.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SS25L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L MHG -
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
2M27ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M27ZHA0G -
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M27 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 20.6 v 27 v 18 옴
BZX85C15 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C15 0.0652
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C15TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 11 v 15 v 15 옴
SS210LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS210LHRQG -
RFQ
ECAD 4092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SK55B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK55B R5G -
RFQ
ECAD 9122 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK55 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZV55B18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B18 L1G -
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
SF2L8GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L8GHB0G -
RFQ
ECAD 3378 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF2L8 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BC807-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-25 0.0333
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC807-25TR 귀 99 8541.21.0075 6,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
2M47Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M47Z A0G -
RFQ
ECAD 6114 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M47 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
BZX84C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V9 0.0511
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C3V9TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZD27C130P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RTG -
RFQ
ECAD 9582 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
1PGSMC5364 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5364 v7g -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5364v7gtr 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 25.1 v 33 v 10 옴
MUR140S Taiwan Semiconductor Corporation MUR140S 0.1103
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR140 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 150 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBR4035PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4035PTHC0G -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR4035 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 40a 800 mV @ 40 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고