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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SK32BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK32BHM4G -
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK32 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
ES1FLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation es1flhmqg -
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1f 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZD27C33P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P 깔개 0.2753
RFQ
ECAD 9947 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
BZT55C3V0 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V0 0.0350
RFQ
ECAD 8161 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C3V0TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 4 µa @ 1 v 3 v 85 옴
S2V Taiwan Semiconductor Corporation S2V 0.0958
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S2VTR 귀 99 8541.10.0080 6,000 1400 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 1.4 kv -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BZX584B3V0 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V0 0.0790
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX584B3V0TR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BZD17C39P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P MQG -
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
BZD27C160P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P 깔개 0.2888
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
SFAF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1608GH -
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFAF1608GH 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 16 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1MHz
SRT16HA0G Taiwan Semiconductor Corporation srt16ha0g -
RFQ
ECAD 7838 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT16 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1PGSMC5353HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5353hr7g -
RFQ
ECAD 1596 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 12.2 v 16 v 3 옴
BZT52C75-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75-G 0.0424
RFQ
ECAD 1500 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C75-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BC848CW Taiwan Semiconductor Corporation BC848CW 0.0357
RFQ
ECAD 8489 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC848CWTR 귀 99 8541.21.0075 18,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
SS32 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS32 R7 -
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS32R7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SF11GH Taiwan Semiconductor Corporation sf11gh -
RFQ
ECAD 2572 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sf11ghtr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
UGS5J Taiwan Semiconductor Corporation UGS5J -
RFQ
ECAD 1752 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGS5 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 5 a 20 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RS3M Taiwan Semiconductor Corporation RS3M 0.1638
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 500 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C200P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P RHG -
RFQ
ECAD 3317 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
SF1606GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1606GH 0.7024
RFQ
ECAD 1898 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1606 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SF1606GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF12GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHB0G -
RFQ
ECAD 8736 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF12 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1N4761A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4761A B0G -
RFQ
ECAD 6848 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4761 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
RS1GLW Taiwan Semiconductor Corporation RS1GLW 0.3900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Rs1g 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
1PGSMB5937H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5937h 0.1798
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
ZM4744A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4744A 0.0830
RFQ
ECAD 9893 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4744 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4744AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
ES3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R6 -
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3br6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SRS1090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1090HMNG -
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1090 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 900 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
TST20L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20L200CW 2.1000
RFQ
ECAD 47 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 990 MV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBRF2090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2090 C0G -
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF2090 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 950 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
ZM4755A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4755A 0.0830
RFQ
ECAD 7946 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4755 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4755AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
UGF2004GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2004GH 0.6996
RFQ
ECAD 6077 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF2004 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GUF2004GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 950 MV @ 10 a 20 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고