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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SR1690H Taiwan Semiconductor Corporation SR1690H -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1690 Schottky TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SR1690H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 16A (DC) 900 mV @ 8 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM1NB60CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH 0.7448
RFQ
ECAD 1962 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM1 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM1NB60CH 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 600 v 1A (TC) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 v ± 30V 138 pf @ 25 v - 39W (TC)
BZX55B9V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B9V1 A0G -
RFQ
ECAD 9648 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
SFT15G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT15G A0G -
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT15 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V7S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7S 0.0340
RFQ
ECAD 2496 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B4V7str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZY55B16 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B16 Ryg 0.0486
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
TSI10L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10L200CW 2.6200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TSI10 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 900 mV @ 5 a 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
S2BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S2BHR5G -
RFQ
ECAD 8036 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 100 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
1SMB5945HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5945HR5G -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
SRT110 Taiwan Semiconductor Corporation SRT110 0.0679
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT110 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR3050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3050PTHC0G -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR3050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 30A 1 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C18 0.0511
RFQ
ECAD 5150 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C18TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
SF13GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF13GHR0G -
RFQ
ECAD 1885 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF13 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5350 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5350 r7g -
RFQ
ECAD 5670 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 9.9 v 13 v 3 옴
BAT54SW Taiwan Semiconductor Corporation BAT54SW 0.0466
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAT54SWTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C
AZ23C3V6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V6 RFG 0.0786
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 3.6 v 95 옴
MUR440S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S R7 -
RFQ
ECAD 6457 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MUR440SR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZD27C22PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRVG -
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
BZX585B27 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B27 RSG 0.0476
RFQ
ECAD 7693 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
MUR860 Taiwan Semiconductor Corporation mur860 1.8400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 mur860 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZT52C30S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30 0.0357
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C30str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 80 옴
SS15L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L RVG 0.1071
RFQ
ECAD 9382 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
M3Z13VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z13VC 0.0294
RFQ
ECAD 5923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z13 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z13VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
BZT55B36 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B36 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 7173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 80 옴
TS6P01GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01GHD2G -
RFQ
ECAD 5407 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P01 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
BAT43 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT43 R0G -
RFQ
ECAD 1973 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 Schottky DO-35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAT43R0G 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
SS13L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS13L M2G -
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS25H Taiwan Semiconductor Corporation SS25H -
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS25HTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C51P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P MTG -
RFQ
ECAD 6864 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
1PGSMC5360 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5360 R7g -
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고