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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52B33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33S 0.0340
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B33ST 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 23 v 33 v 80 옴
MTZJ20SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB R0G 0.0305
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 19.11 v 55 옴
TSM3443CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 RFG 0.9700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 TSM3443 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 12V 640 pf @ 10 v - 2W (TA)
TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR RLG 3.4600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn TSM043 MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 27a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 2480 pf @ 25 v - 100W (TC)
MMBT3904T RSG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904T RSG 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT3904 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SSL14HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL14HR3G -
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZX55B43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B43 A0G -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 32 v 43 v 90 옴
SRAF1040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040HC0G -
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF1040 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
TSM3481CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3481CX6 0.4844
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 TSM3481 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm3481cx6tr 귀 99 8541.29.0095 12,000 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 18.09 NC @ 10 v ± 20V 1047.98 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
MBRS1560CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1560CTHMNG -
RFQ
ECAD 2399 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1560 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750MV @ 7.5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSZU52C3V9 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V9 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 9265 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
HERAF804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF804G C0G -
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF804 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
S4B R7 Taiwan Semiconductor Corporation S4B R7 -
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S4BR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 100 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
RSFMLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation rsfmlhrug -
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZX85C11 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C11 R0G 0.0645
RFQ
ECAD 1039 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 NA @ 8.2 v 11 v 8 옴
BZT52B47S R9G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47S R9g 0.3000
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 33 v 47 v 170 옴
MBRS1590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CT MNG -
RFQ
ECAD 3155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1590 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 15a 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSOD1F2HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F2HM RVG -
RFQ
ECAD 4738 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F TSOD1 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
ES1LD R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LD R3G -
RFQ
ECAD 4544 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1L 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BZD17C11P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RQG -
RFQ
ECAD 8889 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
SK16B Taiwan Semiconductor Corporation SK16B 0.1063
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK16 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N4744AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744AHB0G -
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
BZS55B18 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B18 RXG -
RFQ
ECAD 7677 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
MBR30200PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30200pth 1.8582
RFQ
ECAD 8802 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30200 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr30200pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 1.1 v @ 30 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SSL34 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 R7 -
RFQ
ECAD 9976 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SSL34R7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 410 MV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1PGSMA4762 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4762 0.1086
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4762 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
TSM085NB03DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR RLG 2.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM085 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 12A (TA), 51A (TC) 8.5mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 1091pf @ 15V 논리 논리 게이트
1N4751A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751A A0G -
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4751 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
RS2AA Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA 0.1031
RFQ
ECAD 1548 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-rs2aatr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
SS1H20LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H20LW 0.4000
RFQ
ECAD 6531 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS1H20 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mv @ 1 a 500 na @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고