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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
DBL152GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL152GH -
RFQ
ECAD 1732 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL152GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
KBU402G Taiwan Semiconductor Corporation KBU402G -
RFQ
ECAD 4480 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-KBU402G 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
GBLA02 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA02 -
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBLA02 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 4 a 5 µa @ 200 v 3 a 단일 단일 200 v
HDBL102G Taiwan Semiconductor Corporation hdbl102g -
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HDBL102G 귀 99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
HDBL101G Taiwan Semiconductor Corporation hdbl101g -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HDBL101G 귀 99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
TS6P06G Taiwan Semiconductor Corporation ts6p06g 1.6200
RFQ
ECAD 2727 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ts6p06g 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
GBLA005H Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005H -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBLA005H 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 4 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
DBL202GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL202GH -
RFQ
ECAD 3011 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL202GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
TS15P01G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G -
RFQ
ECAD 9491 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ts15p01g 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 15 a 10 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
DBL203GH Taiwan Semiconductor Corporation dbl203gh -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL203GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
TS25P04G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P04G 2.6300
RFQ
ECAD 8108 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TS25P04G 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
DBL201GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL201GH -
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL201GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
DBL102GH Taiwan Semiconductor Corporation dbl102gh -
RFQ
ECAD 3079 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL102GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
KBL403G Taiwan Semiconductor Corporation KBL403G -
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-KBL403G 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
TS15P01GH Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01GH -
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ts15p01gh 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 15 a 10 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
DBL151G Taiwan Semiconductor Corporation DBL151G -
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL151G 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
GBU803H Taiwan Semiconductor Corporation GBU803H -
RFQ
ECAD 5519 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, GBU 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBU803H 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
GBU802H Taiwan Semiconductor Corporation GBU802H -
RFQ
ECAD 8982 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, GBU 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBU802H 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 100 v 8 a 단일 단일 100 v
GBU803 Taiwan Semiconductor Corporation GBU803 -
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, GBU 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBU803 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
TS20P01G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G -
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TS20P01G 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 50 v 20 a 단일 단일 50 v
TS10P04G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P04G -
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ts10p04g 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 400 v 10 a 단일 단일 400 v
KBU1001G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1001G -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-KBU1001G 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
TS25P02GH Taiwan Semiconductor Corporation TS25P02GH -
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TS25P02GH 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
DBL103GH Taiwan Semiconductor Corporation dbl103gh -
RFQ
ECAD 9224 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL103GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
TS25P02G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P02G -
RFQ
ECAD 1930 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TS25P02G 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
GBLA01H Taiwan Semiconductor Corporation GBLA01H -
RFQ
ECAD 1243 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GBLA01H 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 4 a 5 µa @ 100 v 3 a 단일 단일 100 v
TSZL52C5V6-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C5V6-F0 RWG -
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C5V6-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
TSZL52C10-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C10-F0 RWG -
RFQ
ECAD 1110 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C10-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
RTBS60M Taiwan Semiconductor Corporation RTBS60M 0.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 TBS - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-RTBS60MTR 귀 99 8541.10.0080 1,800 1.3 v @ 3 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
T15JA06G-K Taiwan Semiconductor Corporation T15JA06G-K 2.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p T15JA 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-T15JA06G-K 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고