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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TS6P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P07GHC2G -
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
S1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1KL RVG -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
MTZJ39SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SD R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj39 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 v 37.58 v 85 옴
TS35P07GH Taiwan Semiconductor Corporation TS35P07GH 1.5366
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS35P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
BZD27C100P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P MQG -
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
BZX55C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C16 A0G -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
HER202G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G B0G -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER202 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
TS8P01GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P01GHD2G -
RFQ
 ECAD 8676 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS8P01 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
HERF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1603G C0G -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1603 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 16A 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1035 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035 MNG -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 10 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
TS35P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS35P06 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
TS50P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS50P07G C2G -
RFQ
 ECAD 5015 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS50P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
ES2JFL Taiwan Semiconductor Corporation es2jfl 0.0954
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es2jfltr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 9pf @ 4V, 1MHz
UDZS12B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS12B 0.0354
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS12 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-udzs12btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 90 na @ 9 v 12 v 20 옴
TSM1N45CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45CT B0G -
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 450 v 500MA (TC) 10V 4.25ohm @ 250ma, 10V 4.25V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 235 pf @ 25 v - 2W (TC)
TS25P01G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P01G C2G -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P01 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
BZD27C13PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PW 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
TS8P03G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03G C2G -
RFQ
 ECAD 1558 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS8P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
TS6P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P03G D2G -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
TS8P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03GHC2G -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS8P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 200 v 8 a 단일 단일 200 v
BZT52C16 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16 RHG 0.0412
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 11.2 v 16 v 40
TS6P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P02G D2G -
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P02 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
BZX85C36 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C36 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 25 v 36 v 40
TSZU52C20 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C20 RGG 0.0676
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
TSF30L120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L120C 1.1298
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 880 mV @ 15 a 250 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS10150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150HMNG -
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
SK320BH Taiwan Semiconductor Corporation SK320BH 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK320 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C51PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHMTG -
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R7G 0.5800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
TSS83L45 Taiwan Semiconductor Corporation TSS83L45 0.4500
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 TSS83 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 3 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 220pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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