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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
ES1D Taiwan Semiconductor Corporation ES1D 0.0869
RFQ
ECAD 2394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
S5KB Taiwan Semiconductor Corporation S5KB 0.1414
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SRA840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA840HC0G -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA840 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
AZ23C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C6V2 0.0786
RFQ
ECAD 7017 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C6V2TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
2M39ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M39ZHB0G -
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M39 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
MMSZ5232B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5232B RHG 0.2800
RFQ
ECAD 72 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5232 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
BZD27C180PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHR3G -
RFQ
ECAD 7917 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZD27C39P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RHG -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
TSM5NC50CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CP 0.9828
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM5 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm5nc50cptr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 586 pf @ 50 v - 83W (TC)
BZD27C11PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHRHG -
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
BC546C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546C B1G -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
BZS55C4V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C4V7 RXG 0.0340
RFQ
ECAD 2857 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 70 옴
S1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1GLHRQG -
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SF15GH Taiwan Semiconductor Corporation SF15GH 0.1031
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF15 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SRA2030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2030 C0G -
RFQ
ECAD 3545 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA2030 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 20 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
BZD27C15P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P RHG -
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
SS25LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHRUG -
RFQ
ECAD 5418 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RSFAL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL MTG -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFAL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
UDZS10B R9G Taiwan Semiconductor Corporation UDZS10B R9G 0.0354
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS10 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZD27C47PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHMTG -
RFQ
ECAD 3222 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
TSF20H120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H120C 1.1298
RFQ
ECAD 9120 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 870 mV @ 10 a 250 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B5V6S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 0.0343
RFQ
ECAD 1514 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B5V6STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 900 na @ 2 v 5.6 v 40
BZV55C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 0.0333
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C4V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
SRA1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1060 C0G -
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1060 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZD27C11P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P 0.2753
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzd27c11ptr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
MUR820HC0G Taiwan Semiconductor Corporation mur820hc0g -
RFQ
ECAD 7854 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR820 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
SR206HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR206HB0G -
RFQ
ECAD 6264 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR206 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
TSP3H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP3H150S S1G 0.9400
RFQ
ECAD 767 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP3H150 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 860 MV @ 3 a 20 ns 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 150pf @ 4V, 1MHz
BZT52C7V5K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5K RKG 0.0474
RFQ
ECAD 6811 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.5 v 15 옴
BC848BW Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW 0.0361
RFQ
ECAD 5870 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC848BWTR 귀 99 8541.21.0075 18,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고