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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX55C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C16 A0G -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
TS6P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P07GHC2G -
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
ES2JFL Taiwan Semiconductor Corporation es2jfl 0.0954
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es2jfltr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 9pf @ 4V, 1MHz
DBL158G Taiwan Semiconductor Corporation DBL158G 0.2700
RFQ
ECAD 3825 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL158 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 a 2 µa @ 1200 v 1.5 a 단일 단일 1.2kV
TS25P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P03GHC2G -
RFQ
ECAD 5472 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
TSS4B04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B04G C2G -
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-4B TSS4B04 기준 TS4B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.3 V @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
TS25P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05GHC2G -
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
BZT52C16 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16 RHG 0.0412
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 11.2 v 16 v 40
TS6P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P02G D2G -
RFQ
ECAD 7853 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P02 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
TSZU52C20 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C20 RGG 0.0676
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
PE4BC Taiwan Semiconductor Corporation PE4BC 0.6500
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - 1 (무제한) 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 4 a 20 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 72pf @ 4V, 1MHz
SR309HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr309ha0g -
RFQ
ECAD 9528 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR309 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TS8P01GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P01GHD2G -
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS8P01 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
TS50P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS50P07G C2G -
RFQ
ECAD 5015 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS50P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
SFF508G Taiwan Semiconductor Corporation sff508g -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff508 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
HS1AL Taiwan Semiconductor Corporation hs1al 0.2228
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1ALTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SRS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060 MNG -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2060 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS19L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L MTG -
RFQ
ECAD 7261 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS19 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT55B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 0.0385
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B3V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
MBRS25150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CT 0.9315
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS25150 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS25150CTTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 25A 1.02 V @ 25 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C13PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PW 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
TS6P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P03G D2G -
RFQ
ECAD 5873 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS6P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
UDZS12B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS12B 0.0354
RFQ
ECAD 4838 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS12 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-udzs12btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 90 na @ 9 v 12 v 20 옴
MTZJ39SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SD R0G 0.0305
RFQ
ECAD 8354 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj39 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 v 37.58 v 85 옴
TSF30L120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L120C 1.1298
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 880 mV @ 15 a 250 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0.1328
RFQ
ECAD 2068 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C22 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C22 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
TS8P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P07G C2G -
RFQ
ECAD 3364 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS8P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
MBR30150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150PT 1.8014
RFQ
ECAD 9167 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30150 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 30A 1.02 V @ 30 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER202G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G B0G -
RFQ
ECAD 1835 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER202 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고