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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RS1MLSH Taiwan Semiconductor Corporation rs1mlsh 0.0666
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs1mlshtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
SS25HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS25HR5G -
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS25 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SR304HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR304HB0G -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR304 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N5408GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408GHB0G -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5408 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 짐 1000 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SK56CH Taiwan Semiconductor Corporation SK56CH 0.2159
RFQ
 ECAD 8247 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RS3A R7 Taiwan Semiconductor Corporation RS3A R7 -
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-rs3ar7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UG58GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UG58GHB0G -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG58 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RSFGLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGLHRQG -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MBR6050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6050PTHC0G -
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 ECAD 4130 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 60a 930 MV @ 60 a 1 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA130ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA130ZHR3G -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA130 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 98.8 v 130 v 700 옴
HT17G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT17G A1G -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT17 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZS55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C12 0.0340
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C12TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
SFS1007G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1007G MNG -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1007 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
BZX79C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C68 A0G -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
SS24L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS24L RFG -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C200PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHMTG -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
SF18GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18GHA0G -
RFQ
 ECAD 1738 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60 R3G 0.6700
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA TSSA3 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 540 mV @ 3 a 25 ns 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
SFF1007GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1007GA C0G -
RFQ
 ECAD 4480 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1007 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 500 v 10A (DC) 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C
TST10H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TST10H120CW 1.2930
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST10 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 790 MV @ 5 a 100 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SRT16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT16 A0G -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT16 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SK35A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK35A R3G -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK35 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSM160P04LCRHRLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P04LCRHRLG -
RFQ
 ECAD 1572 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM160 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 51A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2712 pf @ 20 v - 69W (TC)
BZX79C3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V0 A0G -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 3 v 95 옴
FR152GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHA0G -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR152 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
RS2GFS Taiwan Semiconductor Corporation RS2GFS 0.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RS2G 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
BZY55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b7v5 0.0413
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55B7V5TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
BZS55B4V7 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B4V7 래그 -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B4V7RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 70 옴
SS34L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L RQG -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZX55B16 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B16 0.0301
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55B16TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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