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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR103G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR103G A0G 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR103 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS215 Taiwan Semiconductor Corporation SS215 0.1076
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS215 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT52B2V7 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 RHG 0.0412
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 18 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
US1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1J R3G 0.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA US1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM033NB04CR RLG 4.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn TQM033 MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 21A (TA), 121A (TC) 7V, 10V 3.3mohm @ 21a, 10V 3.8V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 4917 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 107W (TC)
HT13G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT13G A1G -
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT13 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
UDZS5V6B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS5V6B RRG -
RFQ
ECAD 3648 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS5 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 na @ 3 v 5.6 v 40
6A100G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G B0G -
RFQ
ECAD 6222 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A100 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1000 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MUR115S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR115S R5G -
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB mur115 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
1PGSMA4763H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4763h 0.1156
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4763 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
BZD17C18P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RQG -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
6A05G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G R0G -
RFQ
ECAD 3236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A05 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 50 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MBRAD1060H Taiwan Semiconductor Corporation mbrad1060h 0.8200
RFQ
ECAD 7764 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mbrad1060 Schottky 윈스 윈스 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 397pf @ 4V, 1MHz
HT14G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HT14G A0G -
RFQ
ECAD 8457 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT14 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1DL RUG Taiwan Semiconductor Corporation s1dl 깔개 0.1620
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ RFG 1.0100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 TSM250 MOSFET (금속 (() 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.8A (TC) 25mohm @ 4a, 4.5v 800MV @ 250µA 11nc @ 4.5v 775pf @ 10V 기준
BZT55B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B22 0.0385
RFQ
ECAD 4660 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B22TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
MUR460S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S V7G -
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR460 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
SK82CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK82CHM6G -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK82 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SS13MHRSG Taiwan Semiconductor Corporation SS13MHRSG 0.4100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 5 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr306ha0g -
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR306 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES3DV R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R6 -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3dvr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
S1BL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL MHG -
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
1N4933G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G B0G -
RFQ
ECAD 4909 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SFF508GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation sff508ghc0g -
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff508 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
BZX79B13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B13 A0G -
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 8 ma @ 100 mv 13 v 30 옴
S1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhmqg -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RSFKL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL RTG -
RFQ
ECAD 6594 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ39SG R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SG R0G 0.0305
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj39 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 v 39.87 v 85 옴
S3GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3GB R5G -
RFQ
ECAD 1971 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S3G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 400 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고