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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1pgsmc5368 R7g	-	RFQ	3733	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																		500 NA @ 35.8 v							47 v	25 옴
S8GC	0.1915	RFQ	3541	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S8GC	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													400 v				10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	48pf @ 4V, 1MHz
SRS16100HMNG	-	RFQ	3345	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS16100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	16A	900 mV @ 8 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SRAF1040 C0G	-	RFQ	5285	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF1040	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 10 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	10A	-
TSM3404CX RFG	-	RFQ	5251	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	5.8A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 5.8a, 10V	3V @ 250µA	13.8 nc @ 10 v	± 20V	400.96 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
BZT52B2V4-G RHG	0.0461	RFQ	1686	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v							2.4 v	100 옴
ES3HB M4G	-	RFQ	3470	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES3H	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.45 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	34pf @ 4V, 1MHz
RSFJL RFG	-	RFQ	3861	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFJL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 v @ 500 ma	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5226B RHG	0.0433	RFQ	3332	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5226		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		25 µa @ 1 v							3.3 v	28 옴
BC548C A1G	-	RFQ	9171	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC548		500MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000																						30 v	100 MA	15NA (ICBO)			NPN	-	420 @ 2MA, 5V	-
MUR315S R6	-	RFQ	4478	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR315SR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
MBR1045H	-	RFQ	5728	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR104	Schottky		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBR1045H	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v		700 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZT55C6V2 L0G	0.0350	RFQ	5045	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 2 v							6.2 v	10 옴
BZT52B22 RHG	0.2700	RFQ	8	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 ma		45 NA @ 15.4 v							22 v	55 옴
MBRAD10100H	0.8200	RFQ	3157	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRAD10100	Schottky		윈스 윈스	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		830 mv @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	260pf @ 4V, 1MHz
bzy55b4v7 Ryg	-	RFQ	7030	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 10 ma		500 na @ 1 v							4.7 v	70 옴
sra1020hc0g	-	RFQ	6930	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA1020	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 10 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	10A	-
BZD27C36P RFG	-	RFQ	1683	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v							36 v	40
SRA850 C0G	-	RFQ	1075	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA850	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 8 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
HS1BL MQG	-	RFQ	6110	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
MBRF20200cth	-	RFQ	6889	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20200	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	1.05 V @ 20 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4933GHB0G	-	RFQ	8127	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4933	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZS55C7V5	0.0340	RFQ	4589	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZS55C7V5TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 10 ma		100 na @ 5 v							7.5 v	7 옴
1pgsma4760h	0.1156	RFQ	7376	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4760		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 51.7 v							68 v	150 옴
HS3D	0.2021	RFQ	3199	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS3D	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v			50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
hs1gl 깔개	-	RFQ	6787	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
Esglwh	0.0948	RFQ	2661	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	ESGLW	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 800 ma	35 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	20pf @ 4V, 1MHz
UG2D A0G	0.2636	RFQ	6051	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	UG2D	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 2 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	35pf @ 4V, 1MHz
UF1GHB0G	-	RFQ	6844	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1G	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
MBR1645HC0G	-	RFQ	4073	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR1645	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v		630 mv @ 16 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²