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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
HERF1008G	0.5661	RFQ	6469	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	HERF1008	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통		10A	1.7 V @ 10 a	80 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C
smlw	0.0498	RFQ	9934	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SMLWTR	귀 99	8541.10.0080	20,000	짐													1000 v		1.1 v @ 800 ma		1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	7pf @ 4V, 1MHz
UF4002 B0G	-	RFQ	4983	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
UGF2006GH	0.6996	RFQ	3347	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF2006	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF2006GH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	400 v	20A	1.25 V @ 10 a	20 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SR1060	0.4632	RFQ	2465	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR1060	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
6A80G B0G	-	RFQ	7868	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A80	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400	짐													800 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	60pf @ 4V, 1MHz
BAS85-L0 L0	-	RFQ	4965	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		Schottky		미니 미니	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAS85-L0L0	귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
SRT15 A1G	-	RFQ	7105	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SRT15	Schottky		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SKL13B	0.1470	RFQ	1152	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SKL13	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		390 mV @ 1 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
ES1JL MQG	-	RFQ	5946	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
SR315	0.1676	RFQ	1777	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR315	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
RS1ML RVG	0.4100	RFQ	153	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	Rs1m	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
TSM150NB04CR RLG	1.4800	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	TSM150	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5.2x5.75)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	10A (TA), 41A (TC)	10V	15mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	1092 pf @ 20 v	-	3.1W (TA), 56W (TC)
SF2L8GHA0G	-	RFQ	8450	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF2L8	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
BC338-40 B1	-	RFQ	6103	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	To-92	-			영향을받지 영향을받지	1801-BC338-40B1	쓸모없는		1																						25 v	800 MA	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 5V	100MHz
Bzy55B4V3	0.0413	RFQ	4841	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZY55B4V3TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 10 ma		1 µa @ 1 v							4.3 v	80 옴
s1alhrqg	-	RFQ	8399	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐													50 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BZV55C56 L1G	-	RFQ	6281	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		100 na @ 42 v							56 v	135 옴
SF32GHA0G	-	RFQ	4976	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF32	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
TST30L45C	2.6300	RFQ	1	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST30	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	15a	670 mV @ 30 a		650 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C9V1P RFG	-	RFQ	7684	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v							9.05 v	4 옴
BZD17C24P 깔개	0.2625	RFQ	4609	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.83%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18 v							24 v	15 옴
S3AHR7G	-	RFQ	6331	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3A	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐													50 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
BZT55B6V2 L0G	0.0385	RFQ	3306	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 2 v							6.2 v	10 옴
SRAF8150 C0G	-	RFQ	9261	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF8150	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
ES3G R7G	-	RFQ	1650	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	es3g	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
tuas4mh	0.2121	RFQ	5488	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	Tuas4	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tuas4mhtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	짐													1000 v		1.1 v @ 4 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	28pf @ 4V, 1MHz
BZD27C82P RTG	-	RFQ	9619	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v							82 v	200 옴
es3ahm6g	-	RFQ	7594	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3A	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 3 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
SS12LHMHG	-	RFQ	9698	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS12	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		450 mV @ 1 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²