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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS25L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L MQG -
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HT13G Taiwan Semiconductor Corporation HT13G -
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 기준 TS-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HT13GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MBRS16150 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS16150 MNG -
RFQ
ECAD 7349 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS16150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 16 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
RS1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL RFG -
RFQ
ECAD 2711 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
S1ALHMQG Taiwan Semiconductor Corporation s1alhmqg -
RFQ
ECAD 3666 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 50 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHMQG -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
RSFAL Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL 0.5100
RFQ
ECAD 189 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFAL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
1N5817H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817H 0.0727
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5817 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4V, 1MHz
TPMR10J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10J S1G 2.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TPMR10 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 V @ 10 a 40 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
SS36L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L MQG -
RFQ
ECAD 1296 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RQG -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1MHz
FR156GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR156GHB0G -
RFQ
ECAD 8537 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR156 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
MTZJ10SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ10SD R0G 0.0305
RFQ
ECAD 4237 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj10 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 v 10.21 v 30 옴
1PGSMB5943HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5943hr5g -
RFQ
ECAD 3360 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5943 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
BZV55B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V3 0.0504
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B4V3TR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
1PGSMA4747HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4747hr3g 0.4300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4747 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
S1JLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation s1jlhmtg -
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RS1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL RTG -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
UGF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GHC0G -
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1004 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 950 MV @ 5 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
SS110LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHRQG -
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SK53BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK53BHR5G -
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK53 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
1SMB5945 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5945 0.1453
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
FR304G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR304G B0G -
RFQ
ECAD 4949 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR304 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
FR204G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR204G A0G -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR204 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
6A05G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G -
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-6A05GTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 50 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
RS3JHR7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3JHR7G -
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS12LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHRTG -
RFQ
ECAD 1020 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
S5B R7 Taiwan Semiconductor Corporation S5B R7 -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S5BR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 100 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
SF45GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF45GHA0G -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF45 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P RHG -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고