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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1PGSMA4755H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4755h 0.1156
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4755 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
SS110LS Taiwan Semiconductor Corporation SS110LS 0.4200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS110 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
1N5263B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5263B A0G -
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5263 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
BZX55C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C68 A0G -
RFQ
 ECAD 1145 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 51 v 68 v 160 옴
S1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation s1dfsh 0.0590
RFQ
 ECAD 5041 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 S1D 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
2M180Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M180Z A0G -
RFQ
 ECAD 1533 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M180 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
SRAF550 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF550 C0G -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF550 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SR010HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr010ha0g -
RFQ
 ECAD 4500 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 500 mA 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
SS315HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS315HM6G -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS315 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84C20 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C20 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
TSM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CR RLG 2.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 54A (TC) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 3.6V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1337 pf @ 25 v - 46.8W (TC)
2M75Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M75Z 0.1565
RFQ
 ECAD 1821 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M75 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 56 v 75 v 90 옴
BZV55C5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C5V6 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 25 옴
1N4757A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A 0.1118
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4757 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
MBRS1635HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1635HMNG -
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1635 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 630 mv @ 16 a 500 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRF2080CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2080CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF2080 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 1 V @ 20 a 100 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX585B43 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B43 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 45 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
SS110L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS110L MHG -
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C2V4-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G 0.0445
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C2V4-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
1N4936G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G R1G -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4936 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSS0340U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS0340U RGG 0.0845
RFQ
 ECAD 9011 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) TSS0340 Schottky 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 45 v 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C 30ma 1.5pf @ 1v, 1MHz
TSM15N50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM15N50CZ C0G -
RFQ
 ECAD 2329 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 2263 pf @ 25 v - -
HS5B Taiwan Semiconductor Corporation HS5B 0.6870
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS5BTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RHG -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation sr105h -
RFQ
 ECAD 5265 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr105htr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TUAU10MH Taiwan Semiconductor Corporation tuau10mh 0.3453
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuau10 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuau10mhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.9 V @ 10 a 80 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 43pf @ 4v, 1MHz
SS29 M4G Taiwan Semiconductor Corporation SS29 M4G -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS29 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS15 Taiwan Semiconductor Corporation SS15 0.1560
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS15TR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
UG06CHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06CHA1G -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
1SMA4762HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762HR3G -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4762 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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