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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1PGSMB5936HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5936hr5g -
RFQ
ECAD 5494 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5936 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
ES1CL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RFG -
RFQ
ECAD 6096 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1C 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
SS24 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS24 R5G 0.6000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
S1KL Taiwan Semiconductor Corporation S1KL 0.0692
RFQ
ECAD 3805 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RSFBLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBLHRHG -
RFQ
ECAD 3448 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ2V7SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V7SA 0.0305
RFQ
ECAD 3277 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj2 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj2v7satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 µa @ 1 v 2.7 v 110 옴
SS1H15LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LS RVG 0.5300
RFQ
ECAD 161 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H15 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 1 a 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
M3Z22VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z22VC 0.0294
RFQ
ECAD 4872 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z22 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z22VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
SR1040H Taiwan Semiconductor Corporation sr1040h 0.4932
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1040 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
BZX84C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C2V7 RFG 0.0511
RFQ
ECAD 5210 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZD27C51PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PH 0.2933
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C51PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
HS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation hs1gal 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
BZX84C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C4V7 0.0511
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C4V7TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
1N4753A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753A B0G -
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4753 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
US1GH Taiwan Semiconductor Corporation US1GH 0.0907
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MURF8L60 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF8L60 C0G -
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 murf8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 8 a 65 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
SS310L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L MQG -
RFQ
ECAD 5808 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
GPA804 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA804 C0G -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 GPA804 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
1N4763A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763A B0G -
RFQ
ECAD 4879 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
S1ALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation s1alhrqg -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 50 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SF2003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003G C0G -
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF2003 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 10 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1MHz
RSFBL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL MTG -
RFQ
ECAD 1936 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZD17C12P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P 0.1050
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD17C12PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
TSS0230LU Taiwan Semiconductor Corporation TSS0230LU 0.0766
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSS0230 Schottky 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSS0230LUTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 35 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 200ma -
SF32G Taiwan Semiconductor Corporation SF32G -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF32GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZX585B47 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B47 RKG -
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 33 v 47 v 170 옴
BZD27C9V1P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1P RQG -
RFQ
ECAD 8501 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.05 v 4 옴
1N4764AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHA0G -
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
SK86C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK86C R7G -
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK86 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 MV @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZX585B13 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B13 RKG -
RFQ
ECAD 3725 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 90 na @ 8 v 13 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고