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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SF31GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHA0G -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF31 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZX79B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V3 0.0322
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B3V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 1 ma @ 25 v 3.3 v 95 옴
S1BLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation S1BLHMQG -
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S12MCR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
SK56C Taiwan Semiconductor Corporation SK56C 0.1938
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SK56 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SK24A Taiwan Semiconductor Corporation SK24A 0.0821
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK24 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SMA4758H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4758H 0.0995
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4758 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
HT18G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT18G A1G -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT18 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZV55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V0 L1G -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 4 µa @ 1 v 3 v 85 옴
BAS40-05 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS40-05 RFG 0.0581
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C
SK510C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C R7G -
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK510 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SK13BH Taiwan Semiconductor Corporation SK13BH 0.1145
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK13 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RSFML Taiwan Semiconductor Corporation RSFML 0.0692
RFQ
 ECAD 1827 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
ES2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA R3G -
RFQ
 ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
1SMA4757 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4757 R3G -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4757 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
BZX585B12 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B12 RKG -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 90 na @ 8 v 12 v 25 옴
ES1G Taiwan Semiconductor Corporation es1g 0.0932
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA es1g 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 1v, 1MHz
S1M-26R2 Taiwan Semiconductor Corporation S1M-26R2 -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1M-26 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MUR310S Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S 0.2139
RFQ
 ECAD 5239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR310 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N5247B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5247B A0G -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5247 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
S2DAF-T Taiwan Semiconductor Corporation S2DAF-T 0.0988
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S2DAF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 200 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
SS13L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS13L R3G 0.1751
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BAS85-L0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0 L0 -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Schottky 미니 미니 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAS85-L0L0 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
UGF2008G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008G 0.6433
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF2008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 25 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS15L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L l 0.1965
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD27C15P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P M2G -
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR RLG 2.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM033 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 21A (TA), 121A (TC) 10V 3.3mohm @ 21a, 10V 4V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 5022 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 107W (TC)
SK12H45 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 A0G -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SK12 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 12 a 120 µa @ 45 v 200 ° C (() 12a -
SFAF1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1004G 0.8672
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1004 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
BZT52C22 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22 RHG 0.0412
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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