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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZT55C20 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C20 L1G -
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
BAV20WS Taiwan Semiconductor Corporation bav20ws 0.0470
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAV20 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAV20WSTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SF18G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G 0.0983
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5231B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5231B 0.0433
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5231 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5231BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
BZV55B47 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B47 L1G -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 35 v 47 v 110 옴
SS16LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHR3G 0.2235
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMA4757 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4757 R3G -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4757 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
UDZS3V6B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B 0.0416
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS3V6 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-udzs3v6btr 귀 99 8541.10.0050 6,000 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
SS14L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L RFG -
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS14 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C91P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P M2G -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
HER603G Taiwan Semiconductor Corporation HER603G 0.7703
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-her603gtr 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 6 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
BZX55B62 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B62 A0G -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
SRA2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020 C0G -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA2020 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 20 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
BZD27C91P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P RVG -
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
S4B R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4B R7g -
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S4B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.15 V @ 4 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
SR102 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 R0G -
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR102 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RSFGL RUG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL 깔개 -
RFQ
 ECAD 4011 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZV55B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B30 0.0357
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B30tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
1PGSMA4756H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4756h 0.1156
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4756 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
BZT52C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V7 0.0412
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C4V7TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
TSM3N90CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CH C5G -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM3N90 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 5.1ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 748 pf @ 25 v - 94W (TC)
S1JF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1JF-T 0.0890
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S1JF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SF13G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF13G A0G -
RFQ
 ECAD 5541 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF13 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5936HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5936hr5g -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5936 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
ES1CL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RFG -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1C 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
SS24 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS24 R5G 0.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
S1KL Taiwan Semiconductor Corporation S1KL 0.0692
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RSFBLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBLHRHG -
RFQ
 ECAD 3448 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ2V7SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V7SA 0.0305
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj2 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj2v7satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 µa @ 1 v 2.7 v 110 옴
SS1H15LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LS RVG 0.5300
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 ECAD 161 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H15 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 1 a 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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