SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1SMB5939 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5939 0.1453
RFQ
ECAD 9380 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5939 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
RSFJL RUG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL l 0.1812
RFQ
ECAD 5132 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFJL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 500 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
HS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2B R5G -
RFQ
ECAD 4846 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB HS2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
SRAS840 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS840 MNG -
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS840 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
1SMA4756 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4756 0.0935
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4756 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
FR154G Taiwan Semiconductor Corporation FR154G 0.0795
RFQ
ECAD 5135 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR154 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZV55B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B30 0.0357
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B30tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
1PGSMB5943 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5943 R5g -
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5943 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
BZD27C22PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHMTG -
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
1SMA4746 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4746 0.0935
RFQ
ECAD 8850 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4746 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
SRAS8150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation sras8150hmng -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS8150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
1PGSMC5367 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5367 m6g -
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5367m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
RS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation rs1gal 0.4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Rs1g 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SR202HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr202ha0g -
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR202 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
HS2MAL Taiwan Semiconductor Corporation hs2mal 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 HS2M 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
SS26LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS26LHR3G -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HSMLWH Taiwan Semiconductor Corporation hsmlwh 0.0906
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HSMLWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 800 MA 75 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 5pf @ 4V, 1MHz
MBR2545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2545CT-Y 0.6949
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR2545CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 25A 820 MV @ 25 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRT13HA1G Taiwan Semiconductor Corporation srt13ha1g -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT13 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZT55C4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V3 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 6187 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
SR102HR1G Taiwan Semiconductor Corporation sr102hr1g -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR102 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
ES1FLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation es1flhr3g -
RFQ
ECAD 1623 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1f 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
HS2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS2DFSH 0.1242
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2DFSHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 32pf @ 4v, 1MHz
ES3FHM6G Taiwan Semiconductor Corporation es3fhm6g -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC es3f 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
S1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation s1glhrtg -
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SRAF550 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF550 -
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF550 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SS16LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHRUG -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ES3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7G -
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC es3g 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZD27C130P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P M2G -
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
RS2K Taiwan Semiconductor Corporation RS2K 0.0946
RFQ
ECAD 8842 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고