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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L06GH 0.2535
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her3l06ghtr 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RHG -
RFQ
 ECAD 1891 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
HER151G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER151G A0G -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER151 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 35pf @ 4V, 1MHz
GP1607 Taiwan Semiconductor Corporation GP1607 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1607 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 16A 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4755AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHB0G -
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
MTZJ5V6SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj5 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 2.5 v 5.76 v 60 옴
SFS1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1008G -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1008 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 1 µa @ 6.9 v 9.1 v 5 옴
SK54CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK54CHR7G -
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK54 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD17C13P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P M2G -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
SRS1620HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1620HMNG -
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1620 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
ES1FL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL RVG 0.0912
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1f 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SSL13 Taiwan Semiconductor Corporation SSL13 0.1311
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL13 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZX55C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V9 0.0287
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C3V9TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
SRF1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1650HC0G -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF1650 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 16A 700 mv @ 8 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBD4448HCDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HCDW Reg -
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 기준 SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-mbd4448hcdwrrgrth 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 음극 음극 공통 57 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER1006G Taiwan Semiconductor Corporation HER1006G 0.5559
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HER1006 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C7V5 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C7V5 L0G 0.0336
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
1N4756A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756A B0G -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4756 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
1N4936GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936GHR1G -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4936 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SF808GH Taiwan Semiconductor Corporation sf808gh 0.6699
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF808 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SF808GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 1.7 V @ 4 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBD3004CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CA RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 350 v 225MA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 350 v -65 ° C ~ 150 ° C
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
RFQ
 ECAD 7958 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
TSOD1F10HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F10HM RVG -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F TSOD1 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
MBRAD560H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD560H 0.6600
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRAD560 Schottky 윈스 윈스 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 244pf @ 4V, 1MHz
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation pu2ja 0.1050
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA pu2j 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu2jatr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1MHz
RS1JLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rs1jlwhrvg 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W RS1J 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SRAF860HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF860HC0G -
RFQ
 ECAD 7579 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF860 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
1N4758G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G 0.0627
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4758GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
SK39BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK39BHR5G -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK39 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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