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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZT55C62 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C62 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
BAS116 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS116 RFG 0.0284
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS116 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 ns 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
MBR2560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2560CTH -
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2560 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 25A 750 mV @ 25 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK59BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK59BHR5G -
RFQ
 ECAD 8969 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK59 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZY55B8V2 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b8v2 Ryg -
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
SS115LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMHG -
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS320ALH Taiwan Semiconductor Corporation SS320ALH 0.1338
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SS320 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS320ALHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
S1JLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation s1jlhrhg -
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
UG06D A0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06D A0G -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C180P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P MTG -
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
2M180Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M180Z 0.1565
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M180 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
1PGSMA120Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma120z R3g -
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma120 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1pgsma120zr3g 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
1N4003G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G A0G -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 200 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S10JC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC R6G -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S10JCR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
RSFML RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML RQG -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B15S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15S RRG 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZD27C9V1P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1P MHG -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.05 v 4 옴
RS1KLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhrhg -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
SRF20150 Taiwan Semiconductor Corporation SRF20150 -
RFQ
 ECAD 9893 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF20150 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 1.02 V @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4755G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755G R0G 0.0627
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
HS5KH Taiwan Semiconductor Corporation HS5KH 0.2928
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS5KHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5352H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5352h 0.3459
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 11.5 v 15 v 3 옴
BZT55B15 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B15 0.0385
RFQ
 ECAD 4870 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B15TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
GP1603 Taiwan Semiconductor Corporation GP1603 -
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GP1603 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 1 음극 음극 공통 200 v 16A (DC) 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
2A05GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A05GH 0.0760
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A05 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 600 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
ES3DBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation es3dbhr5g 0.7200
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES3D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 35 ns 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 46pf @ 4V, 1MHz
SS34L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L RQG -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SRT12HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12HR0G -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT12 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
TSM4946DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4946DCS 0.7284
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM4946 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM4946DCSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 60V 4.5A (TA) 55mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 910pf @ 24V 기준
1PGSMA4740 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsMA4740 R3g -
RFQ
 ECAD 8968 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4740 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1pgsma4740r3g 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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