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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
F1T5GHA0G	-	RFQ	1212	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T5	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
puad10bch	0.9500	RFQ	4	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PUAD10	기준		윈스 윈스	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	10A	950 MV @ 10 a	25 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C47P R3G	-	RFQ	8905	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v							47 v	45 옴
es1jlhr3g	-	RFQ	3938	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
SFT14G A1G	-	RFQ	4152	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SFT14	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
1N5398G A0G	-	RFQ	3190	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5398	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐													800 v		1 V @ 1.5 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
rs1glhrqg	-	RFQ	5081	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	Rs1g	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
F1T7GHA0G	-	RFQ	2414	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T7	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
RSFKL RHG	-	RFQ	3586	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFKL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
S12GCHR7G	-	RFQ	4039	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S12G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐													400 v		1.1 v @ 12 a		1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	78pf @ 4V, 1MHz
SRS1040	0.6690	RFQ	4833	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS1040	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-srs1040tr	귀 99	8541.10.0080	1,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	10A	550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SS22LHRQG	-	RFQ	7667	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS22	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZV55C15 L0G	0.0333	RFQ	3243	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 11 v							15 v	30 옴
S5JB	0.1328	RFQ	7152	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S5J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													600 v		1.1 v @ 5 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
ESH3B M6G	-	RFQ	5825	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
TSM038N03PQ33	0.7613	RFQ	4780	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	TSM038	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (3.1x3.1)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM038N03PQ33TR	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	30 v	19A (TA), 78A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 20V	2557 pf @ 15 v	-	2.4W (TA), 39W (TC)
SFAF1001G C0G	-	RFQ	4316	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF1001	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		975 MV @ 10 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	170pf @ 4V, 1MHz
SS36L MHG	-	RFQ	2944	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS36	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZD27C120P R3G	-	RFQ	1290	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v							120.5 v	300 옴
FR156G A0G	-	RFQ	7643	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR156	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
RS3KB-T R5G	0.4700	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS3K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
BZD27C160PWH	0.1191	RFQ	1868	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 v @ 200 ma		1 µa @ 120 v							160 v	350 옴
RS2BA R3G	-	RFQ	8342	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz
BZD27C11P R3G	-	RFQ	1128	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		4 µa @ 8.2 v							11 v	7 옴
BZX584B5V1 RSG	0.0639	RFQ	1633	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
MMBT2222A RFG	0.2400	RFQ	8	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						40 v	600 MA	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
S1JB R5G	-	RFQ	8096	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S1J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐													600 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
HER107G B0G	-	RFQ	6291	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER107	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TSM4459CS RLG	-	RFQ	9718	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		8-SOP	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	17A (TA)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	78.4 NC @ 4.5 v	± 20V	6205 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
BZD27C47P RFG	-	RFQ	5675	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v							47 v	45 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²