RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
S1AL MQG	-	RFQ	6838	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐		50 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
es1gfsh	0.1131	RFQ	7203	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-es1gfshtr	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150PHMHG	-	RFQ	4322	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 110 v							147 v	300 옴
BZX584B9V1 RSG	0.0639	RFQ	4586	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v							9.1 v	15 옴
MTZJ4V7SC	0.0305	RFQ	9275	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj4		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ4V7SCTR	귀 99	8541.10.0050	10,000							5 µa @ 1 v							4.81 v	80 옴
SRS10100 MNG	-	RFQ	5055	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS10100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	900 mV @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
bav20ws	0.0470	RFQ	3014	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	BAV20	기준		SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAV20WSTR	귀 99	8541.10.0070	6,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
MMSZ5254B RHG	0.0433	RFQ	8449	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5254		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 21 v							27 v	41 옴
BZD27C7V5PHRFG	-	RFQ	8090	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 3 v							7.45 v	2 옴
S1KL RFG	-	RFQ	5765	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
pu2jb	0.1258	RFQ	7867	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	pu2j	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-pu2jbtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 2 a	25 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz
SS19LHMQG	-	RFQ	1816	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS19	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mv @ 1 a		50 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
ES2C R5G	0.7700	RFQ	10	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2C	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
HERAF1605G C0G	-	RFQ	9736	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	HERAF1605	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 16 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	150pf @ 4V, 1MHz
1N4762A B0G	-	RFQ	8195	대만 대만 회사	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4762		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							5 µa @ 62.2 v							82 v	200 옴
MBRF16100	-	RFQ	2209	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBRF16100	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 16 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
BZD27C10P	0.1101	RFQ	3459	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD27C10PTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		7 µa @ 7.5 v							10 v	4 옴
LL4002G L0	-	RFQ	6621	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	LL4002	기준		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LL4002GL0	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS23LHRHG	-	RFQ	8061	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS23	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1N4741G A0G	-	RFQ	5335	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TA)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4741		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v							11 v	23 옴
BZD27C15PHRVG	-	RFQ	1335	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v							14.7 v	10 옴
BC817-40 RFG	0.0346	RFQ	2983	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											45 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
1SMA4753 R3G	0.4600	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4753		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							1 µa @ 27.4 v							36 v	50 옴
f1t7gha1g	-	RFQ	7424	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T7	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
S15GCHV7G	-	RFQ	2455	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S15G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 15 a		1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	93pf @ 4v, 1MHz
mtzj7v5a r0g	-	RFQ	8085	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2.7%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향			500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							500 na @ 4 v							7.04 v	20 옴
UGF2006GH	0.6996	RFQ	3347	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF2006	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF2006GH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	20A	1.25 V @ 10 a	20 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C
TSZU52C8V2	0.0669	RFQ	7763	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c8v2tr	귀 99	8541.10.0050	20,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v							8.2 v	7 옴
UG2004PTHC0G	-	RFQ	8322	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	UG2004	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	930 MV @ 10 a	25 ns	200 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
UGF1004GAH	0.5204	RFQ	5608	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF1004	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF1004GAH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	200 v	10A	950 MV @ 5 a	20 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²