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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TSF20L120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L120C 0.9390
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 920 MV @ 10 a 100 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS29L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS29L M2G -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SMB5934HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5934HR5G -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5934 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
BZD27C20PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHR3G -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
1PGSMA150Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA150Z R3G -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma150 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 1000 옴
BZT55C6V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
UGF2008G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008G 0.6433
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 ECAD 5490 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF2008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 25 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA5927HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5927HR3G -
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 ECAD 1089 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5927 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 9.1 v 12 v 6.5 옴
BZX79C3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V0 A0G -
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 ECAD 1879 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BZD27C200PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHRHG -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
1PGSMC5348 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5348 m6g -
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 ECAD 6184 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5348m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 8.4 v 11 v 3 옴
TSOD1F8HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F8HM RVG -
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F TSOD1 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
MBRF3060CTH Taiwan Semiconductor Corporation mbrf3060cth -
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 900 mV @ 30 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TUAS8DH Taiwan Semiconductor Corporation tuas8dh 0.2466
RFQ
 ECAD 6977 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuas8dhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 짐 200 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 62pf @ 4V, 1MHz
SFT16G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT16G A1G -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SFA1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1006G -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFA1006G 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 10 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
TSM120N06LCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS 1.0840
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 ECAD 7952 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM120 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM120N06LCSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 10A (TA), 23A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2193 pf @ 30 v - 2.2W (TA), 12.5W (TC)
MBRS10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100H 0.5043
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 100 @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
1N4448WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448WS RRG 0.0276
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1N4448 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBRS10H200CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10H200CT MNG -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 970 MV @ 10 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
ESH3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D M6G -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BAS85-L0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0 L0 -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Schottky 미니 미니 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAS85-L0L0 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
GPAS1004 MNG Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1004 MNG -
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB GPAS1004 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 400 v 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
SS15LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRVG -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR1045 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045 C0G -
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR104 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 45 v 700 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMSZ5236B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5236B 0.0433
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5236 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5236BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
BZX584B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V6 RSG 0.0639
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
MBRF3045CTH Taiwan Semiconductor Corporation mbrf3045cth 1.0110
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
UGA8120 C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA8120 C0G -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 UGA8120 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.8 V @ 8 a 70 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
MBRF745HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF745HC0G -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF745 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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