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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5404G	0.1309	RFQ	9752	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5404	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	짐		400 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	25pf @ 4V, 1MHz
TSSA3U60 R3G	0.6700	RFQ	9211	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	TSSA3	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		540 mV @ 3 a	25 ns	500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
SFS1604G	0.7560	RFQ	5746	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFS1604	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	80pf @ 4V, 1MHz
UG56G B0G	-	RFQ	7297	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG56	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.55 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
mbr30l45cth	-	RFQ	5070	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	550 mV @ 15 a		400 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MUR320S R7	-	RFQ	9777	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR320SR7TR	귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
S4B V7G	1.0100	RFQ	1	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S4B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐		100 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
S3M M6	-	RFQ	3236	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-s3mm6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
ES1C	-	RFQ	5973	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es1ctr	귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
SF38G A0G	0.8700	RFQ	120	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF38	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BZT52B5V1 RHG	0.2700	RFQ	3	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		1.8 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
BZV55C10	0.0333	RFQ	2560	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-bzv55c10tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 7.5 v							10 v	15 옴
SR503HR0G	-	RFQ	9487	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR503	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	-
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BZT52B33S RRG	-	RFQ	4951	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		45 NA @ 23 v							33 v	80 옴
SF15GHR1G	-	RFQ	7080	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF15	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
RS1BL RQG	-	RFQ	9687	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
1N5229B	0.0271	RFQ	2038	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5229		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1n5229Btr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
1N4933G B0G	-	RFQ	4909	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4933	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C11P M2G	-	RFQ	1755	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		4 µa @ 8.2 v							11 v	7 옴
S5D M6G	-	RFQ	1299	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5D	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.15 V @ 5 a	1.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	60pf @ 4V, 1MHz
BZV55C5V6 L0G	0.0333	RFQ	6491	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 1 v							5.6 v	25 옴
ES3HB	0.4770	RFQ	4249	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es3hbtr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.45 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	34pf @ 4V, 1MHz
SS19LHRTG	-	RFQ	8523	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS19	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mv @ 1 a		50 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBR4060pth	-	RFQ	9387	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR4060	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	40a			1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS15LHMTG	-	RFQ	4391	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS15	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4934G	-	RFQ	3608	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1N4934GTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68P RQG	-	RFQ	4124	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 51 v							68 v	80 옴
1N5393G	-	RFQ	4159	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1N5393GTR	귀 99	8541.10.0080	3,500	짐		200 v		1 V @ 1.5 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B62-G	0.0461	RFQ	3844	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		410 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B62-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 43.4 v							62 v	215 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²