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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
TSSD20L150SW	0.8805	RFQ	6521	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSSD20	Schottky		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSSD20L150SWTR	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.05 V @ 20 a		20 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	920pf @ 4V, 1MHz
SRAF5100H	-	RFQ	7621	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SRAF5100H	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 5 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
S1JLS RVG	0.4300	RFQ	11	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	S1J	기준		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 1.2 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.2A	-
MUR315S M6G	-	RFQ	6268	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR315	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SS35	0.2809	RFQ	9035	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS35TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZV55C8V2 L0G	0.0333	RFQ	6335	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 6.2 v				8.2 v	7 옴
SK36B R5G	-	RFQ	8689	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK36	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
rs1jal	0.4800	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	RS1J	기준		SMA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1MHz
SFS1006G	-	RFQ	9656	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFS1006	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 5 a	35 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	50pf @ 4V, 1MHz
bzy55b27 Ryg	0.0486	RFQ	4034	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 20 v				27 v	80 옴
BZD17C27P RQG	-	RFQ	7153	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v				27 v	15 옴
ZM4743A L0G	0.0830	RFQ	9905	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4743		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 9.9 v				13 v	10 옴
MUR440 A0G	-	RFQ	9626	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR440	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
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BZT52B47-G	0.0461	RFQ	3276	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		410 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B47-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 35 v				47 v	100 옴
SS24L R3G	-	RFQ	6387	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS24	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
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HS1GL RFG	-	RFQ	1724	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
SS310LWH	0.5000	RFQ	27	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS310	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		20 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
FR207G A0G	-	RFQ	6858	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR207	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz
MBR6035PT C0G	-	RFQ	6566	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR6035	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	60a	820 MV @ 60 a		1 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C82PHM2G	-	RFQ	5577	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v				82 v	200 옴
HS1J	0.0853	RFQ	5160	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	HS1J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5818HB0G	-	RFQ	9685	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	55pf @ 4V, 1MHz
BZT52C7V5K RKG	0.0474	RFQ	6811	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							500 na @ 4 v				7.5 v	15 옴
MTZJ10SD R0G	0.0305	RFQ	4237	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj10		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							200 na @ 7 v				10.21 v	30 옴
HER1003G C0G	-	RFQ	3019	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	HER1003	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4001GHR0G	-	RFQ	9167	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		50 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1N4752AHR1G	-	RFQ	8974	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4752		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 25.1 v				33 v	45 옴
sr010ha0g	-	RFQ	4500	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR010	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 500 mA		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	65pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²