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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5820H	0.1903	RFQ	4321	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5820	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		475 MV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
2M180Z A0G	-	RFQ	1533	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M180		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		500 NA @ 136.8 v						180 v	725 옴
SS19LHRHG	-	RFQ	9095	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS19	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		800 mv @ 1 a		50 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
ES2BAHR3G	-	RFQ	2787	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
BAV103 L1G	-	RFQ	3199	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	bav103	기준		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													250 v		1 v @ 100 ma		100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
BZD27C100PHMTG	-	RFQ	8615	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 75 v						100 v	200 옴
SR809 R0G	-	RFQ	8625	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR809	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		920 MV @ 8 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZT52C30K RKG	0.0474	RFQ	7013	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		100 na @ 23 v						30 v	80 옴
s1dal	0.4200	RFQ	7	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	S1D	기준		SMA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	짐													200 v		1.1 v @ 1 a		1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
ZM4741A L0G	0.0830	RFQ	2542	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4741		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
BZD27C18P 깔개	0.2753	RFQ	8346	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.4%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v						17.95 v	15 옴
SK34A	0.1053	RFQ	7196	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK34	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
S1KL	0.0692	RFQ	3805	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	do-219ab	S1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐													800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
RSFML R3G	0.1491	RFQ	3082	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ4V7SB	0.0305	RFQ	9480	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj4		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mtzj4v7sbtr	귀 99	8541.10.0050	10,000																		5 µa @ 1 v						4.68 v	80 옴
BZT52C27S	0.0357	RFQ	2079	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C27str	귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		45 NA @ 18.9 v						27 v	80 옴
HDBLS103G	0.9100	RFQ	447	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	HDBLS103	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500																1 V @ 2 a		5 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
es3f m6g	-	RFQ	1476	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	es3f	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
TSM60NB380CP	2.2100	RFQ	7950	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM60	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM60NB380CPTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	600 v	9.5A (TC)	10V	380mohm @ 2.85a, 10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 v	± 30V	795 pf @ 100 v	-	83W (TC)
RS2AAHM2G	-	RFQ	7195	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz
BZX79B5V6	0.0305	RFQ	4253	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79B5V6TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 100 ma		2 ma @ 1 v						5.6 v	40
sr103h	-	RFQ	8339	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-sr103Htr	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SK310A	0.4100	RFQ	8	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK310	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
rs1klhrvg	-	RFQ	6742	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
HS5K M6G	-	RFQ	7531	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS5K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
SFF1007GA C0G	-	RFQ	4480	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1007	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 양극 양극 공통	500 v	10A (DC)	1.7 V @ 5 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4739	0.0649	RFQ	2292	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1SMA4739tr	귀 99	8541.10.0050	7,500																		5 µa @ 7 v						9.1 v	5 옴
MBRF3035CT C0G	-	RFQ	3565	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF3035	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	35 v	30A	820 MV @ 30 a		200 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
es2bfsh	0.1491	RFQ	8444	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-es2bfshtr	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
SFF1003GA C0G	-	RFQ	2955	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1003	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 양극 양극 공통	150 v	10A (DC)	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²