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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1SMA5927HR3G	-	RFQ	1089	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5927		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																		500 NA @ 9.1 v				12 v	6.5 옴
BZD27C200PHRHG	-	RFQ	3559	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v				200 v	750 옴
1pgsmc5348 m6g	-	RFQ	6184	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1pgsmc5348m6gtr	귀 99	8541.10.0050	3,000																		5 µa @ 8.4 v				11 v	3 옴
TSOD1F8HM RVG	-	RFQ	1077	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	TSOD1	기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	4pf @ 4V, 1MHz
mbrf3060cth	-	RFQ	3935	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF3060	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	30A	900 mV @ 30 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
tuas8dh	0.2466	RFQ	6977	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tuas8	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tuas8dhtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	짐													200 v		1.1 v @ 8 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	62pf @ 4V, 1MHz
SFT16G A1G	-	RFQ	5123	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SFT16	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SFA1006G	-	RFQ	2239	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SFA1006G	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	50pf @ 4V, 1MHz
TSM120N06LCS	1.0840	RFQ	7952	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TSM120	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM120N06LCSTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	60 v	10A (TA), 23A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	2193 pf @ 30 v	-	2.2W (TA), 12.5W (TC)
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1N4448WS RRG	0.0276	RFQ	3179	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	1N4448	기준		SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
ESH3D M6G	-	RFQ	9662	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
BAS85-L0 L0	-	RFQ	4965	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		Schottky		미니 미니	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAS85-L0L0	귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
GPAS1004 MNG	-	RFQ	8739	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	GPAS1004	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	짐													400 v		1.1 v @ 10 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	50pf @ 4V, 1MHz
SS15LHRVG	-	RFQ	7544	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS15	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MMSZ5236B	0.0433	RFQ	6485	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5236		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MMSZ5236BTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v				7.5 v	6 옴
mbrf3045cth	1.0110	RFQ	9529	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF3045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	30A	820 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
UGA8120 C0G	-	RFQ	7312	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	UGA8120	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1200 v		2.8 V @ 8 a	70 ns	5 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	-
MBRF745HC0G	-	RFQ	3653	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF745	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v		840 mV @ 15 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
BZD27C15P M2G	-	RFQ	8736	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v				14.7 v	10 옴
SF35G	0.2478	RFQ	6591	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF35	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
S15KLW	0.0597	RFQ	5407	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S15KLWTR	귀 99	8541.10.0080	20,000	짐													800 v		1.1 v @ 1.5 a		1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5A	10pf @ 4V, 1MHz
S12MC R7	-	RFQ	7925	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S12MCR7TR	귀 99	8541.10.0080	850	짐													1000 v		1.1 v @ 12 a		1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	78pf @ 4V, 1MHz
SK24A	0.0821	RFQ	5344	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK24	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
TSM033NB04CR RLG	2.9400	RFQ	3	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM033	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	21A (TA), 121A (TC)	10V	3.3mohm @ 21a, 10V	4V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	5022 pf @ 20 v	-	3.1W (TA), 107W (TC)
SF31GHA0G	-	RFQ	2011	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF31	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BZT52C22 RHG	0.0412	RFQ	2533	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52C		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 ma		45 NA @ 15.4 v				22 v	55 옴
SK515C R6	-	RFQ	7469	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK515CR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 5 a		300 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SK13BH	0.1145	RFQ	7716	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK13	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
MBR16150HC0G	-	RFQ	5266	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR16150	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 16 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²