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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS23LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHM2G -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS23 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C82P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P RHG -
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
HS5J R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R6 -
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-hs5jr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N4761A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4761A A0G -
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4761 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
HERAF1003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1003G C0G -
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1003 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 10 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 80pf @ 4V, 1MHz
FR154GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR154GHA0G -
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR154 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5933hr5g 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5933 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
RS3K M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K M6G -
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZS55B18 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B18 RAG -
RFQ
ECAD 4684 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B18RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
LL4004G L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL4004G L0G -
RFQ
ECAD 1921 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AB, MELF LL4004 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 400 v 1.1 v @ 30 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ES1F Taiwan Semiconductor Corporation es1f 0.0932
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA es1f 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 1v, 1MHz
DBL154GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL154GH 0.2874
RFQ
ECAD 9776 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL154 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
TSM9926DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9926DCS RLG -
RFQ
ECAD 3582 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM9926 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6A (TC) 30mohm @ 6a, 10V 600MV @ 250µA 7.1NC @ 4.5V 562pf @ 8v -
1SMA4739 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4739 0.0649
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1SMA4739tr 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1SMA4755 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4755 0.0935
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4755 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
ZM4747A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4747A L0G 0.0830
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4747 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
SK20H45 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK20H45 A0G -
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, SK20 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 20 a 150 µa @ 45 v 200 ° C (() 20A -
BZT55B3V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
1SMA4754 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4754 R3G -
RFQ
ECAD 6529 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4754 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
6A40GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A40GH 0.2682
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A40 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V1S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1S 0.0504
RFQ
ECAD 8140 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C5V1STR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 1.8 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
MBRF3035CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3035CT C0G -
RFQ
ECAD 3565 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3035 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 30A 820 MV @ 30 a 200 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B11 0.0305
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B11tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 8 ma @ 100 mv 11 v 20 옴
HS3F M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3F M6G -
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3F 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C120PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PWH 0.1191
RFQ
ECAD 6973 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 300 옴
HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5M R7G -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1N5240B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5240B 0.0271
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5240 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5240btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 8 v 10 v 17 옴
ES1FL Taiwan Semiconductor Corporation es1fl 0.2408
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es1fltr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SS16LH Taiwan Semiconductor Corporation SS16LH 0.2235
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS16LHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR1202H A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202H A0G -
RFQ
ECAD 6176 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SR1202HA0GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 12 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고